[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一晶体管；

在所述基底上形成覆盖所述第一晶体管的第一介质层，所述基底上还形成有第二晶体管，所述第一介质层还覆盖所述第二晶体管；

在所述第一介质层上形成阻挡层；

刻蚀所述阻挡层和第一介质层形成第一通孔，所述第一通孔露出所述第一晶体管的源极或漏极；

向所述第一通孔填充第一导电材料，形成填充于所述第一通孔且覆盖所述阻挡层的第一导电层；

以所述阻挡层作为停止层，采用平坦化工艺去除所述阻挡层上的第一导电层，在所述第一通孔内形成第一导电插塞；

在形成所述第一导电插塞后，在所述阻挡层上形成第二介质层；

以所述阻挡层为刻蚀阻挡层刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层内形成第二通孔和第三通孔，所述第二通孔位于所述第一导电插塞的上方且露出所述第一导电插塞，所述第三通孔位于所述第二晶体管上方且露出所述阻挡层；

向所述第二通孔内和第三通孔内填充第二导电材料，在所述第二通孔内形成第二导电插塞，在所述第三通孔内形成第三导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二导电材料为铜。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层的步骤中，所述阻挡层的刻蚀速率小于所述第二介质层的刻蚀速率。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层的步骤中，所述第一导电插塞的刻蚀速率小于所述第二介质层的刻蚀速率。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述介质层和阻挡层形成第一通孔前，所述半导体器件的形成方法还包括步骤：在所述阻挡层上形成第三介质层；

刻蚀所述第一介质层和阻挡层形成第一通孔的步骤包括：刻蚀所述第一介质层、阻挡层和第三介质层以形成所述第一通孔；

在所述阻挡层上形成第一导电层的步骤包括：在所述第三介质层上形成所述第一导电层。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为氧化硅。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，采用平坦化工艺去除所述阻挡层上的第一导电层的步骤中：所述阻挡层的去除速率小于所述第三介质层的去除速率。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电材料为钨。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第一通孔之后，形成第一导电层前，所述半导体器件的形成方法还包括：在所述第一通孔的侧壁形成扩散阻挡层。

12.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨。