[发明专利]一种提高金属阻挡层沉积质量的方法有效
| 申请号： | 201410428647.4 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104183481B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;胡向华;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 金属 阻挡 沉积 质量 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高金属阻挡层沉积质量的方法，其特征在于，包括：
步骤01：提供一个表面具有介质层的半导体衬底；
步骤02：在真空环境下对所述半导体衬底进行预热处理，造成所述半导体衬底边缘背面由于受热不均匀而产生剥离物；
步骤03：采用水对所述半导体衬底表面进行刷洗工艺；
步骤04；去除所述半导体衬底表面的湿气并进行预清洁过程；
步骤05：在所述半导体衬底上沉积金属阻挡层。
2.根据权利要求1所述的提高金属阻挡层沉积质量的方法，其特征在于，所述步骤01中，包括：所述介质层的形成包括依次在半导体衬底上沉积刻蚀阻挡层和金属隔离层；所述步骤05包括：在所述金属隔离层表面沉积金属阻挡层。
3.根据权利要求1所述的提高金属阻挡层沉积质量的方法，其特征在于，所述步骤02中，所述预热处理采用的温度为350-450℃。
4.根据权利要求1所述的提高金属阻挡层沉积质量的方法，其特征在于，所述步骤02中，所述预热处理在真空环境下进行，所采用的时间大于3秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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