[发明专利]制造显示设备的方法有效
| 申请号: | 201410428092.3 | 申请日: | 2014-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN104425772B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
| 发明(设计)人: | 许明洙;尹泰承;李正浩 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;韩芳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 显示 设备 方法 | ||
1.一种制造显示设备的方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:
通过溅射工艺在发射单元形成在其上的第一基底上形成第一无机层;
以非接触方式通过吸收从第一无机层形成在其上的第一基底发射的辐射来使第一基底冷却;
通过有机沉积工艺在第一无机层上形成第一有机层;以及
在第一有机层上形成第二无机层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在使第一基底翻转之后形成第二无机层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括以非接触方式使第一有机层形成在其上的第一基底冷却。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,分别在第一簇件的多个第一处理室、第二簇件的多个第二处理室和第三簇件的多个第三处理室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,确定第一簇件的所述多个第一处理室、第二簇件的所述多个第二处理室和第三簇件的所述多个第三处理室的顺序,根据确定的顺序分别在第一簇件的所述多个第一处理室中的第一个第一处理室、第二簇件的所述多个第二处理室中的第一个第二处理室和第三簇件的所述多个第三处理室中的第一个第三处理室中形成第一无机层、第一有机层和第二无机层。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,
第一簇件和第二簇件通过第一连接模块结合,第一连接模块被构造成将第一基底从第一簇件输送至第二簇件,
当输送第一基底时,第一簇件的内部压强与第一连接模块的内部压强相同,或者第一连接模块的内部压强与第二簇件的内部压强相同。
7.如权利要求4所述的方法,其特征在于,
第二簇件和第三簇件通过第二连接模块结合,第二连接模块被构造成将第一基底从第二簇件输送至第三簇件,
当输送第一基底时,第二簇件的内部压强与第二连接模块的内部压强相同,或者第二连接模块的内部压强与第三簇件的内部压强相同。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,顺序地执行第一基底的冷却步骤、第一有机层的形成步骤和第二无机层的形成步骤,使得第一有机层和第二无机层交替地堆叠在第一无机层上。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过向下沉积来形成第一无机层和第一有机层,通过向上沉积来形成第二无机层。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在形成第一无机层之前,通过装载簇件从外部接收其上形成有发射单元的第一基底。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,
通过与第一基底分开的第二基底冷却单元使第一基底冷却,
第二基底冷却单元包括:
第二冷却板,与第一基底分开;以及
第二冷却器,与第二冷却板结合并且使第二冷却板冷却。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,第二制冷剂通道形成在第二冷却板中,通过第二冷却器循环的第二制冷剂通过第二制冷剂通道流动。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括以非接触方式使第一有机层形成在其上的第一基底冷却。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过化学气相沉积工艺或等离子体加强化学气相沉积工艺来形成第二无机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





