[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底内形成通孔；

采用物理气相沉积工艺，在所述通孔底部和侧壁表面形成钨成核层；

采用化学气相沉积工艺，在所述钨成核层表面形成钨体层，且所述钨体层填充满所述通孔。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钨成核层的材料为钨、氮化钨或硅化钨。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用溅射镀膜法进行所述物理气相沉积工艺。

4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钨成核层的材料为钨，所述溅射镀膜法的工艺参数为：提供纯钨靶材，基底温度为150摄氏度至250摄氏度，直流功率为1500瓦至2500瓦，溅射气氛气体为Ar，Ar流量为50sccm至100sccm。

5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述钨成核层的厚度为50埃至300埃。

6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底，位于所述衬底内的金属层，所述金属层表面与衬底表面齐平；位于所述衬底表面的刻蚀停止层；位于所述刻蚀停止层表面的介质层。

7.如权利要求6所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述通孔的工艺步骤包括：在所述介质层表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层以及刻蚀停止层，直至暴露出金属层表面，在基底内形成通孔；去除所述图形化的掩膜层。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述钨成核层之前，还包括步骤：在所述通孔的底部和侧壁表面形成粘附层；在所述粘附层表面形成扩散阻挡层。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为TiN、TaN或TiWN。

10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺的工艺参数为：反应气体包括WF₆和H₂，其中，WF₆的流量为100sccm至500sccm，H₂流量为1000sccm至20000sccm，反应腔室温度为300摄氏度至450摄氏度。