[发明专利]炉管制作工艺的派工控制方法

说明书

本发明公开一种炉管制作工艺的派工控制方法，包括下列步骤。在多批晶片进入炉管之前，算出各批晶片的特性变异值。将多批晶片依照特性变异值的大小进行排序。将多批晶片依照特性变异值由大到小的顺序对应于炉管中造成特性变异值变小到变大的多个位置摆放在炉管中。

技术领域

本发明涉及一种半导体制作工艺方法，且特别是涉及一种炉管制作工艺的派工控制方法。

背景技术

在集成电路制作工艺当中，许多步骤都必须在高温环境下进行，例如成长氧化层的热氧化制作工艺等。上述的热处理方法，一般都是将晶片置于晶舟(wafer boat)而送进炉管反应。

批次炉管制作工艺由于负载效应(loading effect)会导致不同摆放位置的晶片出现电性或物性上的变异。

发明内容

本发明的目的在于提供一种炉管制作工艺的派工控制方法，其可降低多批晶片的产品之间的特性差异。

为达上述目的，本发明提出一种炉管制作工艺的派工控制方法，包括下列步骤。在多批(lots)晶片进入炉管之前，算出各批晶片的特性变异值。将多批晶片依照特性变异值的大小进行排序。将多批晶片依照特性变异值由大到小的顺序对应于炉管中造成特性变异值变小到变大的多个位置摆放在炉管中。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，还包括在多批晶片进入炉管之前，定义与产品相关的特性参数值。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，特性参数值例如是临界电压、饱和电流或电阻值。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，特性变异值可由特性变异值的函数所算出，特性变异值的函数例如是相关于栅极长度与用于形成源极与漏极时的残留氧化硅的厚度等中的至少一者。

本发明所述的炉管制作工艺的派工控制方法，还包括对排序后的多批晶片进行挑选。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，对多批晶片进行挑选的方法例如是对排序后的多批晶片按照平均批数间隔进行挑选。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，对多批晶片进行挑选的方法例如是将排序后的多批晶片依序编上批号，且对按照下列方程式计算出的值进行四舍五入来挑选批号：

其中，N为0以上的整数，且N的最大值为一批次(batch)的最大批数减1。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，可由先进制作工艺控制系统(advanced process control system，APC system)计算出多批晶片的特性变异值。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，可由派工系统(dispatch system)决定一批次内的多批晶片在炉管中的摆放位置。

依照本发明的一实施例所述，在上述的炉管制作工艺的派工控制方法中，可由制造执行系统(Manufacturing Execution System，MES)执行多批晶片的派工。

基于上述，由于在本发明所提出的炉管制作工艺的派工控制方法中，将多批晶片依照特性变异值由大到小的顺序对应于炉管中造成特性变异值变小到变大的多个位置摆放在炉管中，所以由前制作工艺所造成的特性变异与由炉管制作工艺所造成的特性变异可彼此交互作用而补偿或减低特性变异，因此可降低多批晶片的产品之间的特性差异。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明