[发明专利]光耦合装置无效
| 申请号: | 201410420945.9 | 申请日: | 2014-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN104916728A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
| 发明(设计)人: | 鹰居直也;野口吉雄;山本真美 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 夏斌 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 耦合 装置 | ||
关联申请的引用:本申请基于2014年3月14日提出的在先日本专利申请2014-052662号的优先权利益,且要求享受该优先权利益,其内容整体通过引用而包含于本申请。
技术领域
本发明的实施方式总体上涉及一种光耦合装置。
背景技术
光耦合装置(包括光耦合器、光电继电器)能够使用发光元件将输入电信号转换成光信号,并在由受光元件受光之后输出电信号。因此,光耦合装置能够在输入输出之间被绝缘的状态下传送电信号。
在产业用设备、业务用设备、家电设备中,DC电压系统、AC电源系统、电话线路系统以及控制系统等不同的电源系统配置在一个装置内。但是,当将不同的电源系统、电路系统直接结合时,有时会产生动作不良。
在该情况下,当使用光耦合装置时,不同的电源之间被绝缘,因此能够将动作保持为正常。
例如,在变频空调等中,包括交流负载用在内而使用有大量的光耦合器。另外,在用于半导体测试器用途的信号切换的情况下,安装有非常大量的光耦合器,需要缩小向安装部件的安装面积,因此强烈要求小型化。
发明内容
本实施方式的目的在于,提供一种容易小型化且能够缩小安装面积的光耦合装置。
根据一个实施方式,光耦合装置具有安装部件、受光元件、第一树脂层、发光元件以及第二树脂层。安装部件具有:设置有从上表面后退的凹部且具有遮光性的绝缘体层;输入端子;以及与上述输入端子绝缘的输出端子。受光元件设置于上述凹部的底面,与上述输出端子连接,将上表面作为受光面。第一树脂层以覆盖上述受光元件的方式设置在上述凹部内,且具有透光性。发光元件以作为光射出面的下表面与上述受光面对置的方式,粘接于上述第一树脂层的上表面,且与上述输入端子连接。第二树脂层被设置成覆盖上述发光元件、上述绝缘体层的上述上表面、上述第一树脂层以及上述输入端子。
发明的效果:
根据本实施方式,能够提供一种容易小型化且能够缩小安装面积的光耦合装置。
附图说明
图1中的(a)是第一实施方式的光耦合装置的模式平面图,图1中的(b)是沿着A-A线的模式截面图,图1中的(c)是模式侧视图。
图2中的(a)是将受光元件装配于安装部件之后的模式平面图,图2中的(b)是沿着B-B线的模式截面图。
图3中的(a)是将第一树脂层设置在凹部内的模式立体图,图3中的(b)是沿着C-C线的模式截面图,图3中的(c)是使第一树脂层的上表面平坦后的模式截面图。
图4是比较例的对置型的光耦合装置的模式截面图。
图5中的(a)是第二实施方式的光耦合装置的模式平面图,图5中的(b)是其侧视图。
图6中的(a)是第三实施方式的光耦合装置的模式平面图,图6中的(b)是沿着D-D线的模式截面图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图1(a)是第一实施方式的光耦合装置的模式平面图,图1(b)是沿着A-A线的模式截面图,图1(c)是模式侧视图。
第一实施方式的光耦合装置具有设置有凹部31a的安装部件30、发光元件10、受光元件20、第一树脂层39以及第二树脂层40。并且,图1(a)省略了第二树脂层40。
安装部件30具备具有遮光性的绝缘体层31、输入端子34以及输出端子32。在图1中,安装部件30能够包括MID(Molded Interconnect Device:模压互连器件)、层叠陶瓷等。
在MID的情况下,绝缘体层31能够由热塑性树脂等树脂的注射成型体、陶瓷等构成。另外,输入端子34、输出端子32等的导电层,能够成为设置于绝缘体层31的表面或者内部的铜箔图案等。
在层叠陶瓷的情况下,包括输入端子32、输出端子34在内的布线层,能够成为由厚膜等构成的导电层、以及设置于其上的镀金层等。并且,能够在陶瓷上设置通孔31f,并通过导电层将层叠陶瓷的上下进行连接。陶瓷能够采用氧化铝、氮化铝等。
在绝缘体层31上设置有凹部31a。凹部31a具有从上表面31b后退的底面31c、以及内侧面31d。
图2(a)是将受光元件装配于安装部件之后的模式平面图,图2(b)是沿着B-B线的模式截面图。
受光元件20粘接于凹部31a的底面31c。在底面31c上设置有导电层35的情况下,能够通过钎焊材料等进行粘接。或者,受光元件20能够通过粘接剂等粘接于底面31c。受光元件20的电极与输出端子32连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





