[发明专利]逆变单元及其控制方法、逆变器

权利要求书

1.一种逆变单元，其特征在于，包括母线电容C₁、母线电 容C₂、三电平模块和H桥模块，所述H桥模块包括晶体管S₁及 与其反向并联的二极管D₁、晶体管S₂及与其反向并联的二极管 D₂、晶体管S₃及与其反向并联的二极管D₃、晶体管S₄及与其反 向并联的二极管D₄，和飞跨电容C_ph，

所述母线电容C₁和母线电容C₂串联，且母线电容C₁的正极 端与直流电源的正极端连接，母线电容C₂的负极端与直流电源的 负极端连接，母线电容C₁、母线电容C₂的正极端和负极端均与三 电平模块的输入端连接；

在所述H桥模块中，所述晶体管S₁的集电极和晶体管S₃的 发射极连接，所述晶体管S₁的发射极、飞跨电容C_ph的正极端和 晶体管S₂的发射极连接，所述晶体管S₃的集电极、飞跨电容C_ph的负极端和晶体管S₄的集电极连接，所述晶体管S₂的集电极和晶 体管S₄的发射极均与交流输出节点连接，且晶体管S₁的集电极和 晶体管S₃的发射极均与三电平模块的输出端连接；

所述母线电容C₁、母线电容C₂和飞跨电容C_ph两端的电压值 均为V_dc/2，且V_dc为所述直流电源两端的电压值。

2.根据权利要求1所述的逆变单元，其特征在于，

所述三电平模块包括晶体管S₅及与其反向并联的二极管D₅、 晶体管S₆及与其反向并联的二极管D₆、晶体管S₇及与其反向并 联的二极管D₇，和晶体管S₈及与其反向并联的二极管D₈，

所述晶体管S₆的集电极分别与母线电容C₁的负极端和母线 电容C₂的正极端连接，所述晶体管S₆的发射极与晶体管S₇的发 射极连接，所述晶体管S₅的集电极与母线电容C₁的正极端连接， 所述晶体管S₈的发射极与母线电容C₂的负极端连接，所述晶体管 S₅的发射极、晶体管S₇的集电极和晶体管S₈的集电极均与H桥 模块的晶体管S₁的集电极、晶体管S₃的发射极连接。

3.根据权利要求1所述的逆变单元，其特征在于，

所述三电平模块包括晶体管S₅及与其反向并联的二极管D₅、 晶体管S₈及与其反向并联的二极管D₈，和双向功率开关管S_W1，

所述双向功率开关管S_W1的一端分别与母线电容C₁的负极端 和母线电容C₂的正极端连接，所述晶体管S₅的集电极与母线电容 C₁的正极端连接，所述晶体管S₈的发射极与母线电容C₂的负极 端连接，所述晶体管S₅的发射极、双向功率开关管S_W1的另一端 和晶体管S₈的集电极均与H桥模块的晶体管S₁的集电极、晶体管 S₃的发射极连接。