[发明专利]一种显示装置及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410412413.0 申请日: 2014-08-20
公开(公告)号: CN104216158A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 范宇光;王振伟;孟维欣;李建;李京鹏;宋省勋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1339
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示装置 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的封框胶,两个相邻所述封框胶之间设置有预切割位置,其特征在于,还包括位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间,对应所述预切割位置处的阻隔层;

其中,构成所述阻隔层材料的断裂延伸率小于构成所述封框胶材料的断裂延伸率。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述阻隔层包括分别设置于所述彩膜基板、所述阵列基板上的第一子阻隔层、第二子阻隔层。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,在所述彩膜基板设置有隔垫物的情况下,所述阻隔层或所述第一子阻隔层与所述隔垫物同层同材料。

4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,在所述彩膜基板设置有保护层的情况下,所述阻隔层或所述第一子阻隔层与所述保护层同层同材料。

5.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,在所述阵列基板包括钝化层的情况下,所述阻隔层或与第二子阻隔层与所述钝化层同层同材料。

6.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述阻隔层的宽度范围为0.1~200um。

7.根据权利要求1或2所述的显示装置,其特征在于,所述阻隔层的高度范围为所述显示装置盒厚度的1~1.2倍。

8.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间设置有互锁结构。

9.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:

分别制作阵列基板和彩膜基板;在所述阵列基板或所述彩膜基板上设置预切割位置;

在所述阵列基板或所述彩膜基板上,对应所述预切割位置处形成阻隔层;

在所述阵列基板的表面形成封框胶;两个相邻所述封框胶之间具有所述阻隔层;

将所述彩膜基板与所述阵列基板对盒成型;

其中,构成所述阻隔层材料的断裂延伸率小于构成所述封框胶材料的断裂延伸率。

10.根据权利要求9所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述在所述阵列基板或所述彩膜基板上,对应所述预切割位置处形成阻隔层的方法包括:

在所述彩膜基板上对应所述预切割位置处形成第一子阻隔层;

在所述阵列基板上对应所述预切割位置处形成第二子阻隔层。

11.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述彩膜基板设置有隔垫物的情况下,所述方法包括:

在所述彩膜基板上,通过一次构图工艺,形成与所述隔垫物同层同材料的所述阻隔层或所述第一子阻隔层。

12.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述彩膜基板设置有保护层的情况下,所述方法包括:

在所述彩膜基板上,通过一次构图工艺,形成与所述保护层同层同材料的所述阻隔层或所述第一子阻隔层。

13.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法,其特征在于,在所述阵列基板包括钝化层的情况下,所述方法包括:

在阵列基板上,通过一次构图工艺,形成与所述钝化层同层同材料的所述阻隔层或所述第二子阻隔层。

14.根据权利要求9或10所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述阻隔层的宽度范围为0.1~200um。

15.根据权利要求9或10所述的显示装置的制备方法,其特征在于,所述阻隔层的高度范围为所述显示装置盒厚度的1~1.2倍。

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