[发明专利]用于固持衬底的设备在审
申请号: | 201410412139.7 | 申请日: | 2014-08-20 |
公开(公告)号: | CN104425335A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 梁相熙;白圣焕;金戊一;金钟元 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 衬底 设备 | ||
1.一种用于固持衬底的设备,其特征在于所述设备包括:
固持台,所述衬底固持在所述固持台的顶面上;
多个抽吸通道,垂直地穿过所述固持台的至少一个部分,并且所述多个抽吸通道布置在所述固持台的宽度方向上以通过使用真空吸力来支撑所述衬底;
多个通风通道,垂直地穿过所述固持台的至少一个部分,所述多个通风通道布置在所述固持台的所述宽度方向上,使得所述多个通风通道位于所述多个抽吸通道之间以通过所述通风通道释放所述衬底与所述固持台之间的气体;以及
多个衬底支撑件,布置在所述固持台的所述宽度方向上,所述多个衬底支撑件升高或降低以允许在所述固持台上加载所述衬底以及从所述固持台卸载所述衬底。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述多个抽吸通道的多个部分在所述固持台的X方向上延伸,并且在Y方向上彼此间隔开,并且
其余所述多个抽吸通道在所述固持台的所述Y方向上延伸,并且在所述X方向上彼此间隔开。
3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于在所述X方向上延伸的所述抽吸通道与在所述Y方向上延伸的所述抽吸通道彼此交叉。
4.根据权利要求2所述的设备,其特征在于所述多个通风通道中的每一者是在所述多个抽吸通道之间界定的,
其中所述多个通风通道的多个部分在所述固持台的所述X方向上延伸,并且在所述Y方向上彼此间隔开,并且
其余所述多个通风通道在所述固持台的所述Y方向上延伸,并且在所述X方向上彼此间隔开。
5.根据权利要求4所述的设备,其特征在于在所述X方向上延伸的所述通风通道与在所述Y方向上延伸的所述通风通道彼此交叉。
6.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述多个衬底支撑件中的支撑所述衬底的边缘的所述衬底支撑件的高度高于支撑所述衬底的中心区域的所述支撑件的高度。
7.根据权利要求1所述的设备,其特征在于所述多个抽吸通道包括:中心抽吸通道,界定在一个区域中,所述衬底的中心区域在所述区域上面被支撑在所述固持台上;以及
周边抽吸通道,界定在所述中心抽吸通道外部的周边中。
8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于进一步包括连接到所述多个抽吸通道的抽吸控制单元,
其中所述抽吸控制单元控制所述抽吸通道,使得从所述中心抽吸通道到所述周边抽吸通道以一时间间隔连续产生所述真空吸力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造