[发明专利]一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛复合膜的制备方法

权利要求书

1. 一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，采用电化学沉积法制备薄膜，按照以下步骤进行：

（1） 根据无皂乳液聚合法合成聚苯乙烯微球，并以ITO导电玻璃为基底制备聚苯乙烯微球模板；

（2）首先配置先驱体溶液，电解液为水溶液体系，以硫酸氧钛作为钛源配制电解液；然后进行电化学沉积，将硫酸氧钛溶液转入三电极体系沉积；

（3）将产物用去离子水冲洗 、自然干燥，用甲苯冲洗以除去聚苯乙烯微球并煅烧，即制得二氧化钛薄膜；

（4）以天然鳞片石墨按照改进的Hummers方法制备氧化石墨，并于磷酸盐缓冲液中超声分散得到氧化石墨烯溶液；

（5）电化学沉积，将氧化石墨烯溶液转入新的三电极体系，采用循环伏安法室温下沉积石墨烯；

（6）将得到的石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜用去离子水冲洗 、自然干燥、备用。

2. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中制得的聚苯乙烯微球粒径为500nm，粒径分散度低。

3. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述的硫酸氧钛浓度为0.015-0.025M；

所述的三电极体系中以聚苯乙烯模板作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极；

所述的沉积条件为室温下沉积，沉积时间15~30min ，沉积电位-1.1~-1.5V。

4. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述的煅烧为400℃煅烧1h。

5. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中氧化石墨烯浓度为0.5mg mL^-1。

6. 根据权利要求1所述的一种石墨烯修饰的多孔二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（5）中所述的新的三电极体系中将步骤（3）制得的二氧化钛薄膜作为工作电极，铂电极作为辅助电极，饱和甘汞电极作为参比电极；

所述的循环伏安法沉积石墨烯的循环电位范围-1.5~1V，速度50mv s^-1，循环圈数10~30圈。