[发明专利]一种Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201410411023.1 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104177088A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 杨兵;万强;郑继云;陈燕鸣 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/587;C04B35/622 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ti si 纳米 复合 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料，其特征在于：所述复合陶瓷材料由纳米晶TiN和纳米晶氮化硅复合而成，纳米晶TiN镶嵌在非晶的氮化硅中，TiN纳米晶粒度为5-200纳米，晶界氮化硅厚度为0.5-50纳米。
2.如权利要求1所述Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料，其特征在于：所述复合陶瓷材料中氮化硅含量的摩尔百分比为1-20%。
3.一种制备如权利要求1所述Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料的方法，其特征在于：步骤如下：（1）分别称取纳米晶TiN和纳米晶氮化硅，然后将两者进行混合；（2）在烧结压力为10-60MPa，烧结温度为1000-1500℃，氮气环境下，对混合好的纳米晶TiN和纳米晶氮化硅进行SPS烧结，烧结时间控制在3-10分钟。
4.如权利要求3所述的Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述纳米晶TiN和纳米晶氮化硅为的纯度大于99.9%。
5.如权利要求3所述的Ti-Si-N纳米晶-非晶复合陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述复合陶瓷材料中氮化硅含量的摩尔百分比为1-20%。
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