[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路

说明书

技术领域

本发明为一种限流控制电路，尤指一种能降低功率损失且能限制最大输出电流的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)限流控制电路。

背景技术

请参阅图3所示，现有技术的MOSFET限流控制电路主要具有一输入正端I/P3、一输入负端I/P4、一输出正端O/P4、一输出负端O/P5、一金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)Q4、一限流电阻R_limit、一误差放大器(error amplifier)50及一PNP型的共集电极放大器(common collector amplifier)60。该MOSFET Q4的漏极电连接至该输入正端I/P3，其源极通过该限流电阻R_limit电连接接地，其栅极电连接至该PNP型共集电极放大器60的输出端O/P6。该误差放大器50具有一正输入端、一负输入端及一输出端，该正输入端电连接至一分压电路51，该分压电路51由一第一分压电阻R4串联一第二分压电阻R5后，电连接于一参考电源V_ref及该输出负端O/P5之间，且该正输入端电连接至该第一分压电阻R4及该第二分压电阻R5的串联节点，该输出端电连接至该PNP型共集电极放大器60的输入端I/P5。该输入负端I/P4电连接至该输出负端O/P5，而该输出正端O/P4电连接接地。

当使用该MOSFET限流控制电路时，先将该输入正、负端I/P3、I/P4连接至一输入电源30，并将该输出正、负端O/P4、O/P5电连接至一负载40。该MOSFET限流控制电路通过该误差放大器50的输出端电压，来控制该MOSFET Q4的栅极电压，以进一步限制该MOSFET Q4的漏极电流，即通过该负载40的电流值。当输入电源30的电压陡升时，通过该限流电阻R_limit的设置，随着流经该限流电阻R_limit的电流值提高，该限流电阻R_limit的压降也会越大。而该限流电阻R_limit的一端接地，另一端电连接至该MOSFET Q4的源极，故当该限流电阻R_limit的压降越大时，该MOSFET Q4的源极电压值会上升，但该MOSFET Q4的栅极电压由该误差放大器50其输出端的电压来调整，故无法实时反应来调整该MOSFET Q4的栅极电压，造成该MOSFET Q4的栅极电压尚未改变，而该MOSFET Q4的源极电压上升，使该MOSFET Q4的栅极-源极电压差下降，根据MOSFET的电子组件特性，可得知该MOSFET Q4的漏极电流的电流最大值会随着该栅极-源极电压差的下降而下降。为此，便可通过该限流电阻R_limit的设置，来降低当有大电流流经该限流电阻R_limit时，该MOSFET Q4的漏极电流最大值。

但该限流电阻R_limit设置于传输路径上，于正常使用该MOSFET限流控制电路时，有电流流经该限流电阻R_limit会造成额外的能量损耗，故现有技术的MOSFET限流控制电路有必要做进一步的改良。

发明内容

有鉴于现有技术的MOSFET限流控制电路设置有限流电阻造成于正常使用时，额外的能量损耗的缺点，本发明的主要目的提供一种MOSFET限流控制电路，其不具有限流电阻，且同时具有限制流经MOSFET最大电流的功能。

为达上述发明目的，本发明所采用的技术手段令该MOSFET限流控制电路电连接于一输入电源及一负载之间，且包含有：

一输入正端；

一输入负端；

一MOSFET，具有一漏极、一源极及一栅极，该漏极电连接至该输入正端，该源极电连接接地；

一输出正端，电连接至该MOSFET的源极；

一输出负端，电连接至该输入负端；

一分压电路，为一第一分压电阻串联一第二分压电阻后，电连接于一参考电源及该输出负端之间；

一第一放大器，具有一第一正输入端、一第一负输入端及一第一输出端，该第一正输入端电连接至该分压电路的第一分压电阻及第二分压电阻的串联节点，该第一负输入端接地；

一定电流限压电路，具有一定电流输出端，该定电流输出端电连接至该MOSFET的栅极；

一第一晶体管，具有一发射极、一基极及一集电极，该发射极电连接至该MOSFET的栅极，该基极电连接至该第一放大器的第一输出端，该集电极接地；