[发明专利]金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路，电连接于一输入电源及一负载之间，其特征在于，该金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路包含有：

一输入正端；

一输入负端；

一金属氧化物半导体场效晶体管，具有一漏极、一源极及一栅极，该漏极电连接至该输入正端，该源极电连接接地；

一输出正端，电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的源极；

一输出负端，电连接至该输入负端；

一分压电路，为一第一分压电阻串联一第二分压电阻后，电连接于一参考电源及该输出负端之间；

一第一放大器，具有一第一正输入端、一第一负输入端及一第一输出端，该第一正输入端电连接至该分压电路的第一分压电阻及第二分压电阻的串联节点，该第一负输入端接地；

一定电流限压电路，具有一定电流输出端，该定电流输出端电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，定电流限压电路包含有：

一第二放大器，具有一第二正输入端、一第二负输入端及一第二输出端，该第二正输入端电连接至一限压电源，该第二负输入端通过一电阻电连接至一正电源；

一第二晶体管，具有一发射极、一基极及一集电极，该第二晶体管的发射极电连接至该第二放大器的第二负输入端，该第二晶体管的基极电连接至该第二放大器的第二输出端，而该第二晶体管的集电极电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，以作为该定电流限压电路的定电流输出端；

一第一晶体管，具有一发射极、一基极及一集电极，该发射极电连接至该金属氧化物半导体场效晶体管的栅极，该基极电连接至该第一放大器的第一输出端，该集电极接地；

其中该输入正端及该输入负端供电连接至该输入电源，而该输出正端及该输出负端供电连接至该负载。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路，其特征在于，该限流控制电路进一步包含有：

一输出电容，电连接于该输出正端及该输出负端之间。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路，其特征在于，该限流控制电路适用于一低压差线性稳压器。