[发明专利]多芯片器件

说明书

技术领域

本公开涉及多芯片器件以及用于制造多芯片器件的方法。

背景技术

电子器件可以包括相互电连接的多个半导体芯片。必须不断改进这样的多芯片器件以及用于制造多芯片器件的方法。可能期望改进多芯片器件的性能和质量。特别是，可能期望提高集成密度并改进多芯片器件的热管理。

发明内容

根据多芯片器件的一个实施例，多芯片器件包括布置在第一载体上的第一半导体芯片，布置在第二载体上的第二半导体芯片，以及将第一半导体芯片与第二半导体芯片电耦合的导电元件。所述导电元件包括第一暴露接触区域。

根据多芯片器件的另一个实施例，多芯片器件包括第一半导体芯片，第二半导体芯片，和包括第一端部区段、第二端部区段和第三端部区段的T形导电元件。第一端部区段与第一半导体芯片电耦合。第二端部区段与第二半导体芯片电耦合。第三端部区段包括暴露接触区域。

根据多芯片器件的又一个实施例，多芯片器件包括第一半导体芯片，第二半导体芯片，以及包括第一部分和与所述第一部分基本上垂直的第二部分的L形导电元件。所述第一部分将第一半导体芯片与第二半导体芯片电耦合。所述第二部分包括暴露接触区域。

本领域技术人员在阅读下文的详细描述时和查看附图时，将认识到附加特征和优点。

附图说明

包括附图以提供对各方面的进一步理解，以及将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图图示了各方面，并与描述一起用于解释各方面的原理。其他方面和各方面的许多预期优点在通过参考下文的详细描述使它们变得更好理解时，将被容易地理解。附图的元素相对于彼此不一定是按比例。相同的附图标记可以指定对应的相似部分。

图1示意性图示出根据一个实施例的多芯片器件的截面视图。

图2示意性图示出根据另一个实施例的多芯片器件的截面视图。

图3示意性图示出根据又一个实施例的多芯片器件的截面视图。

图4A和4B示意性图示出根据一个实施例的用于制造多芯片器件的方法的相应截面视图。

图5A到5D示意性图示出根据另一个实施例的用于制造多芯片器件的方法的相应截面视图。

图6示意性图示出根据一个实施例的多芯片器件的截面视图。

图7示意性图示出根据另一个实施例的多芯片器件的截面视图。

图8图示出半桥电路的示意图。

具体实施方式

在下文的详细描述中，对形成其一部分的附图进行参考，并且在附图中通过图示方式示出其中可以实践本公开的具体方面。在这方面，方向性术语，例如“顶部”、“底部”、“前面”、“后面”等等，可以参照被描述的附图的取向来使用。因为所描述的器件的部件可以被放置在多个不同的方向上，方向性术语可以被用于说明的目的而决不是限制性的。要以理解的是，在不背离本公开的范围的情况下可以利用其他方面并且可以进行结构上或逻辑上的改变。因此，下文的详细描述不以限制意义来进行，并且本公开的范围由所附权利要求所限定。

如本说明书中所采用的，术语“耦合的”和/或“电耦合的”，不意指元件必须被直接耦合在一起。介入元件可以被提供在“耦合的”或“电耦合的”元件之间。

本文描述了器件和用于制造此类器件的方法。要理解的是，连同所描述器件做出的注解也可以适用于对应的方法，反之亦然。例如，如果描述了器件的具体部件，则用于制造器件的对应方法可以包括以合适方式提供该部件的动作，即使附图中没有明确地描述或图示出这种动作。此外，要理解的是，本文描述的各种示例性方面的特征可以相互组合，除非另外具体指出。

本文所描述的器件可以包括一个或多个半导体芯片。半导体芯片可以是不同类型的，并且可以由不同技术来制造。例如，半导体芯片可以包括集成的电学、光电或机电电路，或无源元件。集成电路可以被设计为逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、功率集成电路、存储器电路、集成无源元件，或者微机电系统，该微机电系统可以包括微机电结构，例如桥接器（bridge）、薄膜或舌结构。半导体芯片不需要由特定的半导体材料来制造，例如，Si、SiC、SiGe、GaAs，并且此外可以包含并非半导体的无机和/或有机材料，例如绝缘体、塑料或金属。此外，半导体芯片可以是封装或非封装的。