[发明专利]多芯片器件

权利要求书

1.一种多芯片器件，包括：

第一半导体芯片，其被布置在第一载体上；

第二半导体芯片，其被布置在第二载体上；以及

导电元件，其将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电耦合，其中所述导电元件包括第一暴露接触区域。

2.权利要求1的多芯片器件，其中所述导电元件包括接触夹片和第一引线框架的一部分中的至少一个。

3.权利要求1的多芯片器件，其中，所述第一暴露接触区域被配置成在所述导电元件和所述多芯片器件外部的部件之间提供电耦合。

4.权利要求1的多芯片器件，其中，所述导电元件包括第一部分和与所述第一部分基本上垂直的第二部分，其中，所述第一部分将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电耦合，并且其中，所述第二部分的端部区段包括第一暴露接触区域。

5.权利要求1的多芯片器件，其中，所述导电元件是U型、T形或L形。

6.权利要求1的多芯片器件，其中所述第一载体与所述第二载体电绝缘。

7.权利要求1的多芯片器件，进一步包括：

引线框架，其包括所述第一载体和所述第二载体。

8.权利要求1的多芯片器件，其中，所述第一暴露接触区域基本上被布置在所述第一载体和所述第二载体之间。

9.权利要求1的多芯片器件，其中，所述第一暴露接触区域与所述第一载体的表面和所述第二载体的表面中的至少一个共面。

10.权利要求1的多芯片器件，进一步包括：

至少部分地封装所述导电元件的封装材料。

11.权利要求10的多芯片器件，其中，所述第一暴露接触区域与所述封装材料的表面共面。

12.权利要求1的多芯片器件，其中所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个包括功率半导体器件。

13.权利要求1的多芯片器件，其中，所述第一半导体芯片包括源极接触，所述第二半导体芯片包括漏极接触，并且所述导电元件将所述源极接触与所述漏极接触电耦合。

14.权利要求1的多芯片器件，进一步包括：

半桥电路，其包括高侧开关和低侧开关，其中，所述第一半导体芯片包括所述高侧开关，以及所述第二半导体芯片包括所述低侧开关。

15.权利要求1的多芯片器件，其中，所述导电元件包括第二暴露接触区域。

16.权利要求15的多芯片器件，进一步包括：

与所述第二暴露接触区域电耦合的无源电子部件。

17.一种多芯片器件，包括：

第一半导体芯片；

第二半导体芯片；以及

T形导电元件，其包括第一端部区段、第二端部区段和第三端部区段，其中，所述第一端部区段与所述第一半导体芯片电耦合，所述第二端部区段与所述第二半导体芯片电耦合，以及所述第三端部区段包括暴露接触区域。

18.权利要求17的多芯片器件，其中，所述导电元件包括接触夹片和第一引线框架的一部分中的至少一个，以及其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个包括功率半导体器件。

19.一种多芯片器件，包括：

第一半导体芯片；

第二半导体芯片；以及

L形导电元件，其包括第一部分和与所述第一部分基本上垂直的第二部分，其中，所述第一部分将所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片电耦合，并且所述第二部分包括暴露接触区域。

20.权利要求19的多芯片器件，其中，所述导电元件包括接触夹片和第一引线框架的一部分中的至少一个，以及其中，所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的至少一个包括功率半导体器件。