[发明专利]照明瓦片有效
申请号: | 201410407637.2 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN104425763B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | C·贝克;A·兰科夫 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 亮度降低 照明瓦片 轨道 电极结构 电连接区 电镀 电压降 基板 导电轨道 轨道连接 逐渐减小 不均匀 沉积率 连接区 电阻 沉积 匹配 承载 制作 | ||
本发明描述了一种照明瓦片,其具有用于承载电极结构的基板,该电极结构包括:布置于所述基板之上的多个导电轨道;以及与所述多个轨道连接的电连接区;其中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离电连接区而发生的亮度降低,该亮度降低由沿着使用中的轨道而出现的不均匀的电压降引起。有利地,轨道通过电镀来制作:然后,由于沉积率由在电镀时沿着轨道的电压降所确定,因而所沉积的轨道的高度,以及因此还有它们的电阻,将会匹配在工作时所要求的分布以补偿亮度降低,否则该亮度降低将会出现。
技术领域
本发明涉及照明瓦片(tile)和有机电子器件,以及用于制作此类瓦片及器件的方法。
背景技术
如同在我们的专利申请GB2482110中所描述的,用于提升大面积的有机发光二极管(OLED)照明瓦片的阳极连接的电导率的常见方法是使用导电轨道矩阵。如图1a所示,照明瓦片200一般地具有用于界定六边形或方形网格102的(阳极)电极轨道,电母线(electrical busbar)104包围着网格(所示出的开口是为了促进与对电极的连接)。
图1b示出:在瓦片的给定区域内,电流主要沿着单个优势方向流过阳电极。例如,如果电流从瓦片的所有边缘供给而来,则电流的优势方向朝着照明瓦片的横向中心位置。由于最高的电压降出现于电母线与轨道连接的照明瓦片的边缘处,因而在边缘处提供更多的金属会降低该电压降。但是这一般还会导致开口率降低。在此,开口率可以限定为:(1-电极的面积)/(总的有效器件面积)。
在GB2482110中,我们通过提供按照到母线的距离不断增大的方式细分成多个子轨道的轨道来解决该问题,从而朝向电母线增大了电导率,在该电母线处需要较大的电导率。这种方法的实例示于图1c中。而且,最好使瓦片在工作时其两端的电压降最小化,特别是在大面积的器件中。随着瓦片的发光面积增加,恒定电阻的电压降的级别变得更加明显。该电压降体现于面板两端的亮度下降。
但是,仍然存在着在最大化开口率的同时提高照明瓦片的亮度分布的一般需要。
发明内容
因此,根据本发明,本文提供了具有承载着电极结构的基板的照明瓦片,该电极结构包含:布置于所述基板之上的多个导电轨道;以及与所述多个轨道连接的电连接区;其中所述轨道的高度随着远离所述连接区而逐渐减小(taper),以补偿所述照明瓦片在远离电连接区的方向上亮度降低。
这种方法使轨道的电阻能够匹配它们在工作中传递电流的需要,从而补偿沿着使用中的轨道而出现的不均匀的电压降,但是没有增加轨道宽度以降低电阻,该电阻降低会降低开口率。该技术可以应用于有机发光二极管(OLED)照明瓦片以及其他照明瓦片技术,例如,发光电化学池(LEC)。对于OLED器件,可以优选地使用顶发射或底发射器件。应当意识到,该方法的获益对于大面积的器件是最大的,例如,具有至少一个大于lcm的横向尺寸。照明瓦片不需要是扁平的,但可以是柔软的。在实施例中,所述轨道的高度随着远离(外部)连接区或母线而基本上线性地逐渐减小。
存在着特别有优势的用于制造这样的结构的方法。在电镀过程中,材料的沉积率取决于在该过程中(对薄籽晶层)施加的电压。在电镀过程中,如果用于驱动该过程的电压经由与在器件正在工作时所要使用的连接区或母线相同的或相似的连接区或母线来施加,沉积率将由在电镀过程中沿着轨道的电压降来确定。以此方式,所沉积的轨道的高度,以及因此还有它们的电阻,将会匹配在工作时所要求的分布,以至少部分补偿之前所描述的亮度降低,否则该亮度降低将会出现。
根据本发明的一个相关方面,本文相应地提供了一种用于制造照明瓦片(特别是以上所描述的那种类型的照明瓦片)的方法,该方法包括:提供用于承载具有被图形化成轨道的导电籽晶层的发光结构的基板;将所述轨道的端部连接至电源;并且使用来自所述电源的电流将电极金属层电镀到所述轨道之上。
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