[发明专利]照明瓦片有效
| 申请号: | 201410407637.2 | 申请日: | 2014-08-19 |
| 公开(公告)号: | CN104425763B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
| 发明(设计)人: | C·贝克;A·兰科夫 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 亮度降低 照明瓦片 轨道 电极结构 电连接区 电镀 电压降 基板 导电轨道 轨道连接 逐渐减小 不均匀 沉积率 连接区 电阻 沉积 匹配 承载 制作 | ||
1.一种用于制造照明瓦片的方法,所述照明瓦片具有承载电极结构的基板,所述方法包括:
提供用于承载具有电连接区和被图形化成轨道并连接到所述电连接区的导电籽晶层的发光结构的基板,其中当工作时所述电连接区将被用于向所述照明瓦片提供电力;
将所述电连接区连接至电源;以及
使用来自所述电源的电流将电极金属层电镀到所述轨道上,由此形成的电极结构包含:布置于所述基板上的多个导电轨道,所述电连接区与所述多个轨道连接,其中所述轨道的高度随着远离所述电连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离所述电连接区而发生的亮度降低。
2.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中所述轨道的高度基本上线性地逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中所述照明瓦片具有至少80%的开口率。
4.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中轨道的宽度随着与所述电连接区的距离的增加而下降。
5.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中所述轨道之间的间距随着与所述电连接区的距离增加而增加。
6.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中所述电极结构还包括在所述基板上的、在所述轨道之下的、基本上连续的第二电极层,并且其中所述轨道的平均薄层电导根据所述第二电极层内的电流密度随着与所述电连接区的距离而变化。
7.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中所述轨道以沿着瓦片的一个或多个边缘的母线界定六边形网格。
8.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中所述轨道从所述照明瓦片的横向中心位置朝所述电连接区大致地辐射状延伸。
9.根据权利要求1所述的制造照明瓦片的方法,其中,在所述电镀之后,所述轨道的高度随着远离所述电连接区而逐渐减小以补偿所述照明瓦片随着远离所述电连接区而发生的亮度降低。
10.一种用于制造有机电子器件的方法,所述方法包括:
提供用于承载至少一个有机层的基板,其中所述有机层被夹在第一导电层和第二导电层之间;所述第一导电层包括导电轨道的网格;
为所述导电轨道的网格提供电母线区,其中所述电母线区沿着所述器件的横向边缘延伸,并且其中所述轨道从所述器件的所述电母线区起跨所述器件延伸;以及
设置所述导电轨道的高度使其随着从所述电母线区起跨所述器件的电路径的长度增加而下降,高度的下降率通过使用经由所述电母线区来施加电流的过程来电镀所述轨道而界定。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述导电轨道的高度基本上线性地下降。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司,未经剑桥显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410407637.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种有机电致发光器件及其制备方法
- 下一篇:半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





