[发明专利]一种减少管理者终端机的运算需求的晶片缺陷管理的方法无效
申请号: | 201410406875.1 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN105374661A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 何阳;米奇 | 申请(专利权)人: | 西安慧泽知识产权运营管理有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人: | 段国刚 |
地址: | 710075 陕西省西安市高新区高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 管理者 终端机 运算 需求 晶片 缺陷 管理 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种减少管理者终端机的运算需求的晶片缺陷管理的方法。
背景技术
在半导体制造过程中,当晶片完成半导体机台的加工后,半导体厂商会对加工晶片来进行缺陷检测(defectinspection,像是亮场或暗场的缺陷检测),以提升制造工艺中晶片的成品率(yield)。此类的检测多半是以晶片上的各个芯片为单位来进行。在进行检测时,检测机台会以一芯片上的某一给定位置作为一基准位置,以此基准位置的检测结果作为一基准值,以测量出该芯片上其它位置相对于此基准值的检测结果,并记录为原始(raw)的缺陷点数据。当要整合同一晶片上各个芯片对应的原始缺陷点数据时,就要进行繁复的数据转换与处理。举例来说,原始的缺陷点数据是以每一芯片各自的基准位置为基准,以相对于该基准位置的坐标来记录该芯片上其它位置的缺陷点分布情形;当要以整个晶片的观点来观察缺陷点分布的情形时,就要进行坐标的平移转换,使每一芯片中原本相对于各自基准位置的缺陷点坐标能统一以晶片的原点为基准,整合出整个晶片的缺陷点分布情形。同理,缺陷点的型态数据(像是缺陷点的大小、类型等等数据〕也要进行转换,使得各芯片各自的缺陷点型态数据能统一以一给定数据为基准,整合地呈现出整个晶片上各缺陷点的型态。
在将原始缺陷点数据进行上述的整合性数据处理后,半导体厂商的工程师就能根据晶片上各缺陷点的分布位置、数量、型态(type)及大小(size),来改善半导体机台及晶片加工的处理步骤,也就是进行晶片缺陷管理。
在现有技术中,半导体厂商的工程师都是通过各自的终端机存取这些原始缺陷点数据,再利用终端机的硬件资源来进行上述的整合性数据处理,以取得各晶片的缺陷点分布情形。然而,随着缺陷检测机台分辨率的提升以及晶片尺寸的扩大,缺陷检测后将会产生大量的原始缺陷点数据。如本领域的技术人员所熟知,终端机的硬件资源通常都不太充裕,不仅无法有效地储存大量的原始缺陷点数据,也难以有效率地进行整合性数据处理。而且,同一晶片的缺陷点分布情形可能要知会予许多个不同终端机端的工程师,若在每一个终端机端都要进行各自的整合性数据处理,就会重复地浪费各终端机的硬件资源,导致管理的效能不佳。除此之外,大量的晶片缺陷分布图亦无法整合,以提供工程师对各晶片完整的分析及比较。
发明内容
为解决上述现有的缺点,本发明的主要目的在于提供一种实用的减少管理者终端机的运算需求的晶片缺陷管理的方法,大量减少处理晶片缺陷数据的时间及复杂度,改善半导体制造工艺的成品率,并可将多个晶片同时显示,以提供管理者针对特定晶片批号或制造工艺步骤来比较分析每个晶片的缺陷分布情况。
为达成以上所述的目的,本发明的一种减少管理者终端机的运算需求的晶片缺陷管理的方法,采取如下技术方案:
一种减少管理者终端机的运算需求的晶片缺陷管理的方法,其包含有:
进行一检测步骤,以对各晶片上的各个芯片分别进行缺陷检测并产生对应的晶片缺陷原始数据;
于一伺服主机中进行一数据预先处理步骤,以根据同一晶片的各芯片所对应的晶片缺陷原始数据整合转换产生一晶片缺陷分布数据,以记录该晶片上各缺陷点的分布位置与各缺陷点的型态及大小;
于该伺服主机中进行一图形预先处理步骤,以根据该晶片缺陷分布数据经整合转换后,依新增缺陷点的分布位置与各缺陷点的型态及大小而以该伺服主机绘制一对应的图形文件,使该图形文件可用图形画面的形式呈现该晶片上各芯片缺陷点的各类分布型态;
以及进行一网络管理步骤,以将该图形文件传输至一终端机,使该终端机可以不用接收所述晶片缺陷原始数椐即可根椐该图形文件而将该晶片上各芯片缺陷点的分布型态以图形画面的形式呈现予该终端机的使用者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造