[发明专利]用微波烧结法制备氮化硅结合碳化硅复合材料的方法无效
申请号: | 201410405551.6 | 申请日: | 2014-08-18 |
公开(公告)号: | CN104177087A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 魏耀武 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/64 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 烧结 法制 氮化 结合 碳化硅 复合材料 方法 | ||
1.一种用微波烧结法制备氮化硅结合碳化硅复合材料的方法,其特征在于先将50~80wt%的碳化硅颗粒、5~25wt%的碳化硅粉、5~30wt%的单质硅粉、1~4wt%的羧甲基纤维素和1~5wt %的水混合,成型;
将成型后的坯体置入真空微波烧结炉中,先抽真空至所述微波烧结炉内的压强≤20Pa,再充入氮气,然后在氮气气氛和1300~1600℃条件下烧结0.5~5小时,即得氮化硅结合碳化硅复合材料。
2.根据权利要求1所述的用微波烧结法制备氮化硅结合碳化硅复合材料的方法,其特征在于所述碳化硅颗粒的粒径为7~0.1mm,碳化硅颗粒的SiC含量≥95wt%。
3.根据权利要求1所述的用微波烧结法制备氮化硅结合碳化硅复合材料的方法,其特征在于所述碳化硅粉的粒径为5~100μm,碳化硅粉的SiC含量≥95wt%。
4.根据权利要求1所述的用微波烧结法制备氮化硅结合碳化硅复合材料的方法,其特征在于所述单质硅粉的粒径为5~100μm,单质硅粉的Si含量≥95wt%。
5.根据权利要求1所述的用微波烧结法制备氮化硅结合碳化硅复合材料的方法,其特征在于所述氮气的纯度≥99.9Vol%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学;,未经武汉科技大学;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410405551.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。