[发明专利]利用投影图案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相关联的封装配置有效
申请号: | 201410403861.4 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN104377120B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | C·张;S·M·洛茨;I·A·萨拉玛 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 投影 图案 具有 嵌入式 管芯 制造 相关 封装 配置 | ||
1.一种用于形成一个或多个通孔的方法,包括:
将激光束投影通过具有预配置的图案的掩模,以根据所述预配置的图案通过基板的介电材料钻出经投影的掩模图案,其中所述经投影的掩模图案包括设置在管芯上的通孔,所述管芯嵌入在所述介电材料中,其中所述通孔具有从所述通孔的顶部到所述通孔的底部的锥形剖面,从所述顶部到所述底部的锥形剖面的角度基本上是恒定的,并且所述通孔的底部与所述管芯的导电特征直接电接触。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
提供嵌入在所述基板的介电材料中的管芯。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
修改所述激光束使得在投影激光束的过程中,所述激光束仅覆盖所述掩模的一部分,其中所述掩模的一部分对应于在所述管芯上的介电材料的区域。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在投影激光束的过程中采用在恒定或可变速度下的协同相对运动来移动所述掩模和所述基板。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,投影激光束去除所述通孔中的介电材料的主要部分,所述方法进一步包括执行去污工艺以去除所述通孔中的任何残留的介电材料。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束包括受激准分子激光束并且所述通孔为第一通孔,所述方法进一步包括:
通过二氧化碳激光或固态UV激光在所述介电材料的表面上形成第二通孔,其中所述第二通孔设置在介电材料的区域中,所述介电材料的区域不在管芯上。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
利用半加成工艺将导电材料沉积到所述通孔中;以及
采用非电解去除工艺去除所述导电材料的至少一部分。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包括:
利用电解电镀工艺将导电材料沉积到所述通孔中;以及
采用化学-机械抛光工艺或蚀刻工艺去除所述导电材料的至少一部分。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述经投影的掩模图案包括设置在介电材料的区域中的通孔、焊盘、或迹线中的至少一个路由特征,所述介电材料的区域不在所述管芯上,并且所述至少一个路由特征与设置在所述管芯上的通孔同时地形成。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述介电材料包括环氧树脂,所述管芯包括硅,以及所述掩模包括具有与所述管芯相似的热膨胀系数的玻璃材料。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述掩模为配置成在所述介电材料中产生具有不同深度的腔的灰度掩模。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光束为均质化平顶激光束。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述管芯为第一管芯,所述第一管芯包括桥互连,所述桥互连配置成通过所述基板路由第二管芯和第三管芯之间的电信号,并且其中所述通孔被配置成路由所述电信号。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通孔为具有在多个通孔的各个通孔之间的55微米或小于55微米的间距的所述多个通孔中的一个。
15.一个或多个通孔的装置,包括:
用于实施如权利要求1-14中任一项所述的方法的装置。
16.通过如权利要求1-14中任一项所述的方法制造的产品。
17.具有一个或多个通孔的装置,包括:
基板;
桥,所述桥嵌入在所述基板中并且被配置成路由第一管芯和第二管芯之间的电信号;以及
多个通孔,所述多个通孔连接至所述桥并且被配置成通过所述基板的至少一部分路由电信号,其中所述多个通孔的各个通孔具有从各个通孔的顶部到所述各个通孔的底部的锥形剖面,从所述顶部到所述底部的锥形剖面的角度基本上是恒定的,并且所述各个通孔的整个底部与所述管芯的导电特征直接电接触。
18.如权利要求17所述的装置,其特征在于,所述多个通孔的每一个的底部基本上平坦。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造