[发明专利]在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法

权利要求书

1.一种在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于包括：

第一步骤，在硅片上形成Fin-FET器件的鳍；

第二步骤，沉积一层介质层覆盖所述鳍作为虚拟栅极层，在虚拟栅极层上沉积硬掩模层和光刻胶进行光刻刻蚀以形成虚拟栅极；

第三步骤，在栅极区域表面形成一层薄膜；

第四步骤，刻蚀所述薄膜以形成覆盖虚拟栅极侧壁的侧墙保护层；

第五步骤，沉积栅极氧化层和栅极；

第六步骤，去除虚拟栅极，保留极氧化层和栅极以及侧墙保护层，并进行后续的离子注入工艺。

2.根据权利要求1所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，硅片是外延硅或者外延锗硅的硅片。

3.根据权利要求1或2所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，在第一步骤中，鳍之间被浅沟槽结构形成有源区的隔离，隔离部分的浅沟槽用二氧化硅填充。

4.根据权利要求1或2所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，在第一步骤中，鳍的顶部未被浅沟槽隔离的高度在200A到600A之间，鳍的顶部的宽度在10-60纳米之间。

5.根据权利要求1或2所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，在第二步骤中，虚拟栅极的介质层采用化学气相沉积或者旋涂凝胶法生长方法，形成一层覆盖鳍的薄膜覆盖层，根据栅极的高度来定义薄膜覆盖层相对于鳍的顶端的高度。

6.根据权利要求1或2所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，第三步骤，所述薄膜的台阶覆盖性高于90％。

7.根据权利要求1或2所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，第四步骤，采用各向异性刻蚀对所述薄膜进行刻蚀，其中纵向刻蚀量高于横向刻蚀量，虚拟栅极顶部的和鳍的顶部的薄膜被完全刻蚀掉。

8.根据权利要求1或2所述的在FinFET器件上形成离子注入侧墙保护层的方法，其特征在于，在第六步骤中，采用干法灰化工艺刻蚀去除虚拟栅极。