[发明专利]半导体结构

说明书

本发明公开了一种半导体结构，该半导体结构包括：导电条纹、导电层、第一介电层与一第二介电层。第一介电层介于交错配置的导电条纹与导电层之间。第二介电层不同于第一介电层，并与第一介电层邻接在导电条纹的同一侧壁的不同位置上。本发明提供的半导体结构，具有较稳定的结构特征，不容易发生形变的问题，且产品可靠性高。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种存储器结构。

背景技术

近年来半导体元件的结构不断地改变，且元件的存储器储存容量也不断增加。存储装置被使用于许多产品之中，例如MP3播放器、数码相机、计算机档案等等的储存元件中。随着应用的增加，对于存储装置的需求也趋向较小的尺寸、较大的记忆容量。因应这种需求，是需要制造高元件密度及具有小尺寸的存储装置。

因此，设计者们无不致力于开发一种三维存储装置，不但具有许多叠层平面而达到更高的记忆储存容量，具有更微小的尺寸，同时具备良好的特性与稳定性。

发明内容

根据一实施例，公开一种半导体结构，其包括一导电条纹、一导电层、一第一介电层、与一第二介电层。第一介电层介于交错配置的导电条纹与导电层之间。第二介电层不同于第一介电层，并与第一介电层邻接在导电条纹的同一侧壁的不同位置上。

根据另一实施例，公开一种半导体结构，其包括一导电层、一第一介电层、与一导电条纹。导电条纹通过第一介电层分开自与导电条纹交错配置的导电层。导电条纹包括一第一导电部分、一第二导电部分、及该第一导电部分与该第二导电部分之间的一曲表面。

根据又另一实施例，公开一种半导体结构，其包括一导电层、一导电条纹、与一第一介电层。导电层具有相对的一第一侧壁与一第二侧壁、及第一侧壁与第二侧壁之间的一第三侧壁。第一介电层分开交错配置的导电条纹导电层。第一介电层位于导电层的第一侧壁与第二侧壁上的厚度是大于位于第三侧壁上的厚度。

附图说明

图1A至图11A绘示根据一实施例的半导体结构的制造流程。

图12绘示根据一实施例的半导体结构其导电层、导电条纹与第一介电层的上视图。

【符号说明】

102：底绝缘层

104：导电薄膜

106：介电薄膜

108：源极接触插塞

110：第一穿孔

112：穿孔

114：穿孔

116：导电条纹

118：导电连接

120：导电板

122：第一介电层

124：上表面

126：表面

127：曲表面

128：侧壁

130：导电层

132：掩模层

134A、134B：第二穿孔

136：音叉状穿孔

138：导电层

140：条纹部分

142：第二介电层

144：第一侧壁

146：第二侧壁

148：侧壁