[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

导电条纹；

导电层；

第一介电层，介于交错配置的该导电条纹与该导电层之间；以及

第二介电层，不同于该第一介电层，并与该第一介电层邻接在该导电条纹的同一侧壁的不同位置上；

其中，该导电条纹具有厚度不同且相邻接的第一导电部分与第二导电部分，该第一介电层邻接在该第一导电部分，该第二介电层邻接在该第二导电部分。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，包括多个该导电条纹与多个导电层，其中该第二介电层介于这些导电条纹的相邻的两个之间，并介于这些导电层的相邻的两个之间。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层为多层介电结构，该第二介电层为单一层介电结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一介电层为氧化物-氮化物-氧化物(ONO)或氧化物-氮化物-氧化物-氮化物-氧化物(ONONO)结构，该第二介电层为氧化物。

5.一种半导体结构，包括：

导电层；

第一介电层；以及

导电条纹，通过该第一介电层分开自与该导电条纹交错配置的该导电层，该导电条纹包括第一导电部分、第二导电部分、及该第一导电部分与该第二导电部分之间的一曲表面。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中该第一介电层是介于该导电条纹的该第一导电部分与该导电层之间，该第一导电部分与该第二导电部分是交替地往该导电条纹的延伸方向配置。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，包括多个字线，其中这些字线之间具有不同的第一间距与一第二间距。

8.一种半导体结构，包括：

导电层，具有相对的第一侧壁与第二侧壁、及该第一侧壁与该第二侧壁之间的第三侧壁；

导电条纹；以及

第一介电层，分开交错配置的该导电条纹该导电层，该第一介电层位于该导电层的该第一侧壁与第二侧壁上的厚度是大于位于该第三侧壁上的厚度。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体结构，其中该半导体结构为存储器装置，该导电条纹用作位线，该导电层用作字线，这些字线之间具有不同的第一间距与第二间距。