[发明专利]一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底(1)、沟道掺杂区(2)、漂移区(3)、源重掺杂区(4)、漏重掺杂区(5)、栅氧(6)、场氧(7)、栅(8)，其特征在于，还包括设置在漂移区的沿源漏方向的P型掺杂的槽型结构(10)，所述槽型结构内的介质层为二氧化硅或热处理体积膨胀的介质材料，所述槽型结构(10)向漂移区的宽度方向引入压应力，长度方向引入张应力。

2.根据权利要求1所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件，其特征在于，所述槽型结构(10)的上表面到下表面的垂直距离大于漂移区厚度的一半。

3.根据权利要求1所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件，其特征在于，所述槽型结构的宽度小于0.2μm，所述槽型结构的槽间距小于0.3μm，所述槽型结构(10)的左边缘与场氧的右边缘重合，槽型结构(10)的右边缘与漏重掺杂区(5)左边缘的距离大于漂移区厚度的五分之一。

4.根据权利要求1所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件，其特征在于，所述槽型结构(10)为矩形、梯形、阶梯形或闭口U形。

5.根据权利要求1所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件，其特征在于，所述槽型结构(10)为梯形或阶梯形时，所述梯形或阶梯形的长边位于槽型结构的上表面；所述槽型结构(10)为闭口U形时，闭口U形的闭口线位于槽型结构的上表面。

6.一种如权利要求1所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：在半导体衬底(1)上按传统LDMOS工艺制作N型LDMOS器件的漂移区，沟道掺杂区，栅氧，场氧，栅，源重掺杂区，漏重掺杂区；

步骤2：在漂移区制作应变槽型结构(10)，同时对漂移区槽型结构进行P型离子掺杂，并通过对槽型结构进行热处理向漂移区(3)宽度方向引入压应力，长度方向引入张应力。

7.根据权利要求6所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2的具体过程为：淀积刻蚀阻挡层掩膜(14)，在漂移区采用干法刻蚀的方法得到槽(15)，然后向槽内淀积无定型硅、无定型锗或无定型锗硅，并进行P型掺杂，然后退火使无定型硅、无定型锗或无定型锗硅变成多晶硅、多晶锗或多晶锗硅，发生体积膨胀从而向漂移区(3)宽度方向引入压应力，长度方向引入张应力；然后去除刻蚀阻挡层掩膜(14)。

8.根据权利要求6所述的带槽型结构的应变NLDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2的具体过程为：淀积刻蚀阻挡层掩膜(14)，对槽型结构区域进行P型离子注入和氧离子注入，然后退火处理以将硅氧化成二氧化硅，从而通过氧化过程中的体积膨胀向漂移区(3)宽度方向引入压应力，长度方向引入张应力；然后去除刻蚀阻挡层掩膜(14)。