[发明专利]三维集成电路及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电路及用来控制电路的方法，且特别涉及一种三维集成电路及用来控制三维集成电路的方法。

背景技术

在电子工程领域，硅穿孔(through-silicon via,TSV)为垂直的电性连接构件，该电性连接构件会完全地穿过硅晶片或晶粒。由于硅穿孔的通孔的密度较高且其连接构件较短的缘故，与其他的技术(例如封装技术(package-on-package))相比，硅穿孔为具备高性能的技术，其可用来产生三维封装及三维集成电路。

插入硅穿孔在3DS主/从晶粒上所覆盖的晶粒大小约为2～3％。由于硅穿孔的尺寸难以缩减，在晶粒中硅穿孔的尺寸因而难以降低。由此可见，上述现有的方式，显然仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域无不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。

发明内容

发明内容旨在提供本公开内容的简化摘要，以使阅读者对本公开内容具备基本的理解。该发明内容并非本公开内容的完整概述，且其用意并非在指出本发明实施例的重要/关键元件或界定本发明的范围。

本发明内容的目的在于提供一种三维集成电路及用来控制三维集成电路的方法，借以改善存现有技术中的问题。

为达上述目的，本发明内容的一个技术方面是提供一种三维集成电路，其包含主电路、从属电路及至少一个硅穿孔(through-silicon via,TSV)。主电路用来接收及处理输入数据、数据选通信号(data strobe signal,DQS)及输入命令，从而输出数据写入信号给主晶粒。硅穿孔电性耦接于主电路及从属电路之间。主电路通过硅穿孔以传送数据写入信号给从晶粒。

优选地，数据写入信号未被从属电路处理。

优选地，数据选通信号未通过从属电路。

优选地，主电路包含：

锁存电路，其用来接收输入数据及数据选通信号，并根据输入数据及数据选通信号以输出数据信号；

串行至并行数据转换电路，其用来将数据信号由串行数据转换为并行数据；

命令解码器，其用来解码输入命令及输出命令信号；

写入命令控制器，其用来接收及处理命令信号以输出写入控制信号；

写入时间产生电路，其用来接收及处理写入控制信号及数据选通信号以输出数据发布信号；及

数据驱动器，其用来接收及处理数据信号及数据发布信号以输出数据写入信号给主晶粒。

优选地，锁存电路包含至少两个触发器。

优选地，数据信号为二位信号或四位信号，且并行数据为八位信号。

为达上述目的，本发明内容的另一个技术方面是提供一种用来控制三维集成电路的方法。上述三维集成电路包含主电路、从属电路及至少一个硅穿孔(TSV)，硅穿孔电性耦接于主电路及从属电路之间。上述方法包含以下步骤：借由主电路以接收及处理输入数据、数据选通信号(DQS)及输入命令，从而输出数据写入信号给主晶粒；及

借由主电路通过硅穿孔以传送数据写入信号给从晶粒。

优选地，借由主电路通过硅穿孔来传送数据写入信号给从晶粒的步骤包含：

借由主电路通过硅穿孔以传送数据写入信号给从晶粒，其中数据写入信号未被从属电路处理。

优选地，借由主电路以接收及处理输入数据、数据选通信号及输入命令并输出数据写入信号给主晶粒的步骤包含：

借由主电路以接收及处理输入数据、数据选通信号及输入命令并输出数据写入信号给主晶粒，其中数据选通信号未通过从属电路。

优选地，用来控制三维集成电路的方法还包含：

接收输入数据及数据选通信号，并根据输入数据及数据选通信号以输出数据信号；

将数据信号由串行数据转换为并行数据；

解码输入命令及输出命令信号；

接收及处理命令信号以输出写入控制信号；

接收及处理写入控制信号及数据选通信号以输出数据发布信号；及

接收及处理数据信号及数据发布信号以输出数据写入信号给主晶粒。

因此，根据本发明的技术内容，本发明实施例借由提供一种三维集成电路及用来控制三维集成电路的方法，借以改善在晶粒中硅穿孔的尺寸难以降低的问题。

在参阅下文实施方式后，本发明所属本领域技术人员可轻易了解本发明的基本精神及其他发明目的，以及本发明所采用的技术手段与实施方式。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：