[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410397526.8 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN104681554B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 高尾和人;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 杨谦,胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基板；
多个电路单元，排列配置在上述基板上方，各电路单元具有：第一电极、第二电极、在上述第一电极及上述第二电极间串联地电连接的第一开关元件和第二开关元件；在上述第一电极及上述第二电极间与上述第一开关元件和上述第二开关元件并联地电连接的电容器、以及连接在上述第一开关元件与上述第二开关元件之间的交流电极；
第一端子，连接在上述各电路单元的上述第一电极与上述第一开关元件之间；
第二端子，连接在上述各电路单元的上述交流电极与上述第二开关元件之间；以及
壳体，将上述多个电路单元包围；
上述各电路单元的第一电极被赋予共通的电位，上述各电路单元的第二电极被赋予共通的电位，上述各电路单元的上述交流电极相互连接。
2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
在邻接的上述电路单元之间，具备导体的磁遮蔽板。
3.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
上述第一开关元件及上述第二开关元件是MOSFET或IGBT。
4.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
上述壳体是树脂。
5.如权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，
上述磁遮蔽板连续地设置在上述壳体的相对置的内侧面间。
6.如权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，
上述磁遮蔽板是铝。
7.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
上述基板是导体。
8.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
上述基板是导体，在上述基板与上述第一开关元件及上述第二开关元件之间设有绝缘体。
9.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
上述电容器设在上述第一开关元件和上述第二开关元件的上方。
10.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，
上述电路单元具有对上述第一开关元件进行控制的第一栅极电极、和对上述第二开关元件进行控制的第二栅极电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
