[发明专利]射频功率放大模块有效
| 申请号： | 201410393305.3 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104124932B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 唐鹏;冯卫锋;孙亚楠;章国豪;曾斌;赵鹏;康春雷;郑爽爽;张顶平;赵家彦;邓义奎;杨红祥;何长亮;沈薇;蔡之君;李义梅;舒志萍 | 申请（专利权）人： | 豪芯微电子科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189;H03F1/02 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 功率 放大 模块 | ||
1.一种射频功率放大模块，其特征在于，包含：第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一变压器、第二变压器和第三变压器；射频信号依次经所述第一放大电路、所述第二放大电路、所述第三放大电路放大后，通过串联合成的所述第三变压器功率合成，并通过其单端输出端输出；
其中，所述射频信号通过所述第一变压器输入所述第一放大电路；
所述第二放大电路的输出通过所述第二变压器输入至所述第三放大电路；
所述第二放大电路包含至少2个第二放大器；各所述第二放大器的正负输入端分别与所述第一放大电路的正负输出端相连，各所述第二放大器的输出端分别作为所述第二放大电路的输出端；
所述第三放大电路包含至少2个第三放大器；所述第三放大器与所述第二放大器一一对应；
所述第三放大电路的各所述第三放大器的正负输入端分别与所述第二放大电路的输出端通过所述第二变压器相连，各所述第三放大器的输出端分别作为所述第三放大电路的输出端；
其中，所述第三放大器为伪差分非对称互补CMOS放大器；所述第二放大器为NMOS结构伪差分放大器。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大模块，其特征在于，所述第一放大电路为第一放大器，所述第一放大器为class AB放大器。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大模块，其特征在于，所述第一放大器为采用共源共栅互补金属氧化物半导体晶体管的互补CMOS结构伪差分Class AB放大器。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大模块，其特征在于，所述第二放大器的数量为4个，所述第三放大器的数量为4个。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的射频功率放大模块，其特征在于，所述第一放大电路和所述第二放大电路间设有隔直电容。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的射频功率放大模块，其特征在于，所述第一变压器、所述第二变压器和所述第三变压器均为片上变压器。
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