[发明专利]一种去边宽度的监测晶圆及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种去边宽度的监测晶圆及其制作方法。

背景技术

半导体器件制造过程中，由于工艺技术的局限，晶圆边缘往往缺陷很高，为了提高产品的成品率，需要在旋涂光阻后将晶圆边缘可能造成缺陷的、特定宽度的光阻去掉。

去除晶圆边缘特定宽度光阻的方法有两种，一种是去除边圈(EdgeBeadremove，EBR)方法：在旋涂光阻后，光阻在离心力的作用下流到晶圆的边缘或者背面，干燥后，这些光阻容易剥落并产生颗粒，从而在后续的工艺过程中成为缺陷或故障的来源，EBR方法是在光阻旋转涂胶器上装配一个喷嘴，从所述喷嘴内喷出少量可以去除光阻的溶剂到晶圆的边缘及背面，利用所喷的溶剂和光刻胶相似相容的特性将光阻去除。另一种是晶圆边缘曝光去边(WaferEdgeExposure，WEE)方法：对晶圆边缘特定宽度的光阻进行曝光，然后利用显影液将晶圆边缘特定宽度的光阻去除，从而避免边缘处光阻转移到背面(例如，硬烤过程中光阻就有可能流动到背面)，使后续的工艺过程保持清洁。

上述两种方法都可用于去除晶圆边缘特定宽度的光阻，但是去除光阻的宽度(简称去边宽度)的准确度，直接关系到缺陷数目以及晶圆有效区域大小，因此需要精确监测去边宽度。目前常用的监测去边宽度的方法是在空白晶圆上，经过涂胶,WEE以及显影步骤取得监控晶圆后，于显微镜下或者其他带刻度的机台测量去边的大小，取得监控数据。但是该方法比较费时，且显微镜读数精度较差，可能导致得到的结果不够准确。

因此，为了解决上述技术问题，有必要提出一种去边宽度的监测晶圆以及监测方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明实施例一提供一种去边宽度的监测晶圆，其中所述监测晶圆的边缘具有若干第一刻度尺图形，所述第一刻度尺图形带有刻度的边与所述监测晶圆的半径对齐，所述第一刻度尺图形的最小刻度至少为0.1mm。

进一步，所述监测晶圆至少具有4个所述第一刻度尺图形，所述第一刻度尺图形彼此等间距地分布于所述监测晶圆的边缘四周。

进一步，所述第一刻度尺图形的数量为8个。

进一步，所述监测晶圆为硅晶圆。

进一步，采用所述监测晶圆监测去边宽度的大小，通过人眼观察所述第一刻度尺图形的刻度，直接读取所述去边宽度的值。

本发明实施例二提供一种上述实施例一中监测晶圆的制作方法，包括：

制作一光刻版，所述光刻版上包括若干第二刻度尺图形，计算所述第二刻度尺图形的刻度的大小，以保证将所述第二刻度尺图形光刻至所述监测晶圆上形成第一刻度尺图形之后，所述第一刻度尺图形的最小刻度至少为0.1mm；

提供监测晶圆，利用所述光刻版，在所述监测晶圆的边缘位置形成若干第一刻度尺图形，其中所述第一刻度尺图形带有刻度的边与所述监测晶圆的半径对齐。

综上所述，利用本发明的具有刻度尺图形的监测晶圆对去边宽度做监控，可直接在监测晶圆上读出去边宽度，并且通过四个刻度尺图形上读出的四个读数，可精确的判断出去边宽度大小，以及是否相对晶圆中心有平移(即通常所说的大小边的问题)。采用本发明的监测晶圆对去边宽度进行监控，可以快速的读出去边监测数据，无需机台测量，省时省力。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1A-1B为根据本发明实施例一的监测晶圆的示意图；

图2为根据本发明实施例二的监测晶圆的制作方法所使用光刻版的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。