[发明专利]制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法在审
| 申请号： | 201410386121.4 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105006434A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 林志雄;张嘉德;陈荣挺;王泰元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 有无 掺杂 沟道 mosfet 方法 | ||
1.一种制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，所述方法包括：
在衬底上制造具有伪多晶硅栅极、伪层间(IL)氧化物和掺杂沟道的半导体结构；
去除所述伪多晶硅栅极以及所述伪IL氧化物以暴露所述掺杂沟道；
从所述衬底上的区域去除所述掺杂沟道；
在所述衬底上的所述区域处形成用于所述半导体结构的无掺杂沟道；以及
形成用于所述半导体结构的金属栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述伪多晶硅栅极包括干法和湿法蚀刻操作以将所述伪多晶硅栅极去除。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述伪IL氧化物包括干法蚀刻操作以将所述伪IL氧化物去除。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述掺杂沟道包括对所述衬底进行各向异性蚀刻操作。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成无掺杂沟道包括采用外延工艺来生长所述无掺杂沟道。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括通过对所述无掺杂沟道采用湿化学法在所述无掺杂沟道上方生长IL氧化物。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述伪IL氧化物包括在去除所述掺杂沟道之前和之后均执行蚀刻操作。
8.一种将半导体结构中的衬底上的掺杂沟道替换为无掺杂沟道的方法，所述方法包括：
去除伪多晶硅栅极和伪层间(IL)氧化物以暴露所述掺杂沟道；
从所述衬底上的区域去除所述掺杂沟道；以及
在所述衬底上的所述区域处生长用于所述半导体结构的无掺杂沟道。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述去除伪多晶硅栅极包括干法和湿法蚀刻操作以将所述伪多晶硅栅极去除。
10.一种形成于衬底中的掺杂阱上方并且具有无掺杂沟道区域的半导体结构，所述半导体结构包括：
位于衬底中的源极和漏极区域；
位于所述衬底中的掺杂阱中的无掺杂沟道区域，所述无掺杂沟道区域连接于所述源极和漏极区域之间；以及
制造于所述无掺杂沟道区域上方的栅极叠层；
其中，所述无掺杂沟道区域通过去除伪多晶硅栅极和伪层间(IL)氧化物以暴露所述掺杂阱中的掺杂沟道区域、从所述衬底去除所述掺杂沟道区域、以及在所述掺杂阱中生长无掺杂沟道区域以替换所述掺杂沟道区域而形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
