[发明专利]封装结构及其制法

说明书

一种封装结构及其制法，封装结构，包括：承载件、设于该承载件上的电子元件、包覆该电子元件的封装层、形成于该封装层上的一第一屏蔽层、以及形成于该第一屏蔽层上的至少一第二屏蔽层，且该第一屏蔽层与该第二屏蔽层为不同材质，藉由在该封装层上形成多层屏蔽层，以避免该电子元件受电磁波干扰。

技术领域

本发明涉及一种封装结构，尤指一种具防电磁波干扰的封装结构及其制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，大部份的电子产品均朝向小型化及高速化的目标发展，尤其是通讯产业的发展已普遍运用整合于各类电子产品，例如行动电话(Cell phone)、膝上型电脑(laptop)等。然而上述的电子产品需使用高频的射频晶片，且射频晶片可能相邻设置数位积体电路、数位讯号处理器(Digital Signal Processor，简称DSP)或基频晶片(BB,Base Band)，造成电磁干扰(Electromagnetic Interference，简称EMI)产生的现象，因此必需进行电磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)处理。

现有避免EMI的射频(Radio frequency，简称RF)模组，如图1A至图1C所示，该射频模组1用于将多个射频晶片11a,11b与非射频式电子元件11电性连接在一封装基板10上，再以如环氧树脂的封装层13包覆各该射频晶片11a,11b与该非射频式电子元件11，并于该封装层13上形成一金属薄膜14。该射频模组1藉由该封装层13保护该射频晶片11a,11b、非射频式电子元件11及封装基板10，并避免外界水气或污染物的侵害，且藉由该金属薄膜14保护该些射频晶片11a,11b免受外界EMI影响。

惟，现有射频模组1的外围虽可藉由包覆该金属薄膜14以达到避免EMI的目的，但若射频晶片11a,11b如为低频元件，则单一金属薄膜14作为屏障层难以防止电磁干扰。

因此，如何克服现有技术的缺失，实为一重要课题。

发明内容

为克服现有技术的种种缺失，本发明提供一种封装结构及其制法，藉由在封装层上形成多层屏蔽层，以避免该电子元件受电磁波干扰。

本发明的封装结构，包括：一承载件；至少一电子元件，其设于该承载件上；封装层，其包覆该电子元件；一第一屏蔽层，其形成于该封装层上；以及至少一第二屏蔽层，其形成于该第一屏蔽层上，且该第一与第二屏蔽层为不同材质所形成。

本发明还提供一种封装结构的制法，包括：提供一封装体，该封装体具有一承载件、设于该承载件上的至少一电子元件及包覆该电子元件的封装层；形成一第一屏蔽层于该封装层上；以及形成至少一第二屏蔽层于该第一屏蔽层上，且该第一屏蔽层与该第二屏蔽层为不同材质所形成。

前述的制法中，当该封装体具有多个该电子元件时，该封装体定义有多个封装单元，且各该封装单元具有至少一该电子元件。因此，还包括先形成多个沟道于各该封装单元之间；再形成该第一屏蔽层于该封装层上与各该沟道中；沿各该沟道进行切单制程，以分离各该封装单元，且该第一屏蔽层保留于各该封装单元上；以及之后形成该第二屏蔽层于该第一屏蔽层上。

前述的封装结构及其制法中，该电子元件为射频晶片。

前述的封装结构及其制法中，形成该第一屏蔽层的材质为绝缘材或导电材，且形成该第二屏蔽层的材质为导体材。

前述的封装结构及其制法中，该沟道贯穿该封装层、或该沟道延伸至该承载件内，例如，该第一屏蔽层复沿该沟道的表面形成、或该第一屏蔽层填满该沟道。因此，该第一屏蔽层复延伸至该承载件上，且该承载件的边缘成为阶梯部，而该第一屏蔽层复覆盖该阶梯部，使该第一屏蔽层对应该阶梯部之处呈现阶梯状、或该第一屏蔽层的侧表面齐平该承载件的侧表面。

由上可知，本发明的封装结构及其制法，藉由该封装层上形成第一与第二屏蔽层的多个屏蔽层，以提升屏蔽功效，所以可避免该电子元件受外部电磁波干扰的问题。