[发明专利]封装结构及其制法

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

一承载件，其侧表面外露有接地部；

单一电子元件，其设于该承载件上；

封装层，其包覆该电子元件；

一第一屏蔽层，其形成于该封装层上，且形成该第一屏蔽层的材质为绝缘材；以及

至少一第二屏蔽层，其形成于该第一屏蔽层与该承载件的侧表面上，且形成该第二屏蔽层的材质为导体材，该第二屏蔽层并电性连接该承载件侧表面的接地部。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该电子元件为射频晶片。

3.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该第一屏蔽层还延伸至该承载件上。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该承载件的边缘成为阶梯部。

5.如权利要求4所述的封装结构，其特征为，该第一屏蔽层还覆盖该阶梯部，且该第一屏蔽层对应该阶梯部之处呈现阶梯状。

6.如权利要求4所述的封装结构，其特征为，该第一屏蔽层还覆盖该阶梯部，且该第一屏蔽层的侧表面齐平该承载件的侧表面。

7.一种封装结构的制法，包括：

提供一封装体，该封装体具有一承载件、设于该承载件上的多个电子元件及包覆该电子元件的封装层，其中，该封装体定义有多个封装单元，且各该封装单元仅具有单一该电子元件，该承载件的侧表面外露有接地部；

形成多个沟道于各该封装单元之间；

形成一第一屏蔽层于该封装层上与各该沟道中，且形成该第一屏蔽层的材质为绝缘材；

沿各该沟道进行切单制程，以分离各该封装单元，且该第一屏蔽层保留于各该封装单元上；以及

形成至少一第二屏蔽层于该第一屏蔽层与该承载件的侧表面上，且形成该第二屏蔽层的材质为导体材，该第二屏蔽层并电性连接该承载件侧表面的接地部。

8.如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该电子元件为射频晶片。

9.如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该沟道贯穿该封装层。

10.如权利要求9所述的封装结构的制法，其特征为，该沟道延伸至该承载件内。

11.如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该第一屏蔽层还沿该沟道的表面形成。

12.如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征为，该第一屏蔽层填满该沟道。