[发明专利]功率放大器及其功率放大方法

说明书

本发明涉及电路领域，公开了一种功率放大器及其功率放大方法。本发明中，该功率放大器包括第一电感器、第二电感器、电容器、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和电流源，第一电感器和第二电感器都与第一电源连接且形成差分电感器，电容器的第一端子与第一电感器连接而电容器的第二端子与第二电感器连接，第一MOS晶体管的漏极与电容器的第一端子连接，第二MOS晶体管的漏极与电容器的第二端子连接，电流源的第一端子与第一MOS晶体管的源极和第二MOS晶体管的源极连接，电流源的第二端子与第二电源连接，基于偏置电压的输入电流源提供可变电流。本发明的功率放大器可以减小差分对管的器件尺寸，降低对前级的负载，显著提高功率放大器的整体效率。

技术领域

本发明涉及电路领域，特别涉及功率放大技术。

背景技术

传统的非线性功率放大器使用共源共栅结构，其中，在功率放大器的输入和输出之间连接有一组MOS(场效应管)晶体管用于提供输入和输出之间的隔离。但是，由于MOS晶体管组被安置在信号通路上，即在功率放大器的输入和输出之间，这会限制功率放大器的最大输出功率并在信号通路引入电阻元件，从而降低功率放大器的性能。因此，急需开发一种具有改进的性能和最大输出功率的功率放大器。

发明内容

根据本发明的一实施方式，功率放大器包括第一电感器、第二电感器、电容器、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和电流源。第一电感器和第二电感器都与第一电源连接。第一电感器和第二电感器形成差分电感器。上述电容器的第一端子与第一电感器连接而电容器的第二端子与第二电感器连接。第一MOS晶体管的漏极与电容器的第一端子连接。第二MOS晶体管的漏极与电容器的第二端子连接，电流源的第一端子与第一MOS晶体管的源极和第二MOS晶体管的源极连接。电流源的第二端子与第二电源连接。基于偏置电压的输入电流源提供可变电流。

根据本发明的另一实施方式，一种方法包括：通过第一MOS晶体管和第二MOS晶体管接收差分输入电压，其中，第一MOS晶体管的漏极与电容器的第一端子连接，而第二MOS晶体管的漏极与电容器的第二端子连接；通过第一电感器、第二电感器和电容器在共振频率下产生高阻抗，其中，电容器的第一端子与第一电感器连接，而电容器的第二端子与第二电感器连接，第一电感器和第二电感器都与第一电源连接，同时，第一电感器和第二电感器形成差分电感器；以及基于偏置电压的输入通过电流源提供偏置电流给第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中，电流源的第一端子与第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的源极连接，而电流源的第二端子与第二电源连接。

附图说明

本发明的非限制性和非详尽的各实施方式将参照下列附图进行说明，其中类似附图标记除详细说明外在各种视图中指示类似部件。

图1是本发明一实施方式中功率放大器的电路图；

图2是本发明另一实施方式中功率放大器的电路图；

图3是本发明另一实施方式中功率放大器的电路图；

图4是本发明另一实施方式中功率放大器的电路图；

图5是本发明一实施方式中的方法的流程图。

具体实施方式

现将对本发明的各种方面和实例进行说明。下面的描述为全面理解和说明这些实例提供了特定的细节。但是，本领域的技术人员可以理解，即使没有这些细节，也可以实施本发明。此外，一些公知结构或功能可能没有被示出或详细描述，以避免不必要地模糊相关说明。