[发明专利]柔性半导体装置及其制造方法以及图像显示装置

权利要求书

1.一种柔性半导体装置，具有：

布线埋设层，其具有可挠性；

加厚布线，其以与所述布线埋设层的一个主面大致处于同一平面的状态埋设；以及

TFT元件，其与所述加厚布线电连接，

在所述布线埋设层的所述一个主面上设置所述TFT元件。

2.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线埋设在所述布线埋设层，使得成为所述加厚布线的上表面从所述一个主面突出的形态。

3.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线埋设在所述布线埋设层，使得成为所述加厚布线的上表面从所述一个主面凹下的形态。

4.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线具有从所述布线埋设层的所述一个主面向另一个主面的方向逐渐减小宽度尺寸的锥形状。

5.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

在避开了所述加厚布线上的区域设置所述TFT元件。

6.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线与所述TFT元件的源极电极相互连接，由此所述加厚布线与所述TFT元件相互电连接，所述源极电极位于所述加厚布线的上表面的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述布线埋设层由可挠性薄膜和在所述可挠性薄膜上设置的粘接剂层构成，

在所述粘接剂层埋设所述加厚布线。

8.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

层间连接过孔沿着所述布线埋设层的厚度方向延伸地设置于所述布线埋设层。

9.根据权利要求8所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述层间连接过孔，具有从所述布线埋设层的所述一个主面向另一个主面的方向逐渐增大宽度尺寸的锥形状。

10.根据权利要求9所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线，具有从所述布线埋设层的所述一个主面向另一个主面的方向逐渐减小宽度尺寸的锥形状，所述层间连接过孔和所述加厚布线具有倒锥的关系，所述层间连接过孔的宽度尺寸逐渐减小的方向和所述加厚布线的宽度尺寸逐渐减小的方向相反。

11.根据权利要求1所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线由金属箔构成。

12.根据权利要求7所述的柔性半导体装置，其特征在于，

所述加厚布线与所述TFT元件的源极电极连接从而所述加厚布线与所述TFT元件电连接，所述源极电极位于所述加厚布线的上表面的至少一部分，

所述柔性半导体装置还具有直接覆盖所述布线埋设层的一个主面的阻挡层，所述阻挡层在所述加厚布线上的局部区域形成开口部，所述加厚布线和所述源极电极经由所述开口部而连接。

13.一种图像显示装置，使用了权利要求1所述的柔性半导体装置，

所述图像显示装置具有：

所述柔性半导体装置；以及

图像显示部，其由在所述柔性半导体装置上形成的多个像素构成，

所述柔性半导体装置的具有可挠性的布线埋设层，具有与其一个主面大致处于同一平面状态而埋设的加厚布线。

14.根据权利要求13所述的图像显示装置，其特征在于，

所述图像显示部具有：

像素电极，其形成在所述柔性半导体装置上；

发光层，其形成在所述像素电极上；以及

透明电极层，其形成在所述发光层上。

15.一种柔性半导体装置的制造方法，是制造柔性半导体装置的方法，包括：

准备加厚布线以及具有可挠性的布线埋设构件的工序i；

实施将所述加厚布线按压于所述布线埋设构件的一个主面的操作，将所述加厚布线埋入到所述布线埋设构件中，使得所述加厚布线成为与所述一个主面大致处于同一平面状态的工序ii；以及

在所述布线埋设构件的所述一个主面上形成TFT元件的工序iii。