[发明专利]晶体管驱动电路以及驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子领域，尤其涉及一种晶体管驱动电路以及驱动方法。

背景技术

双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT)是一种电流驱动期间，其由于具有较高的击穿电压，在一些高压场合被广泛应用。

现有技术的BJT驱动电路一般是图腾柱方式或是利用已有的低压电源形成一个压控电流源。

图腾柱方式的驱动电路如图1所示,当输入端“P”输入的信号Vp高电平时，晶体管T1关断，晶体管T3导通，BJT关断，在BJT关断过程中，连接在BJT的基极前的电阻R并联的电容C通过晶体管T3放电，形成关断电流；当输入端“P”输入的信号Vp为低电平时，在输入电压Vin的驱动下晶体管T1导通，晶体管T2导通，输入电压Vin晶体管T2向BJT的基极输入电流，驱动BJT导通。

在现有技术中，人们可以利用外部低压电源，对该外部低压电源进行减压形成一用于驱动BJT导通的压控电流源对外输出用于驱动BJT导通的控制信号Vp(此时BJT的驱动电路可以但不限于如图1所示)。

采用现有技术能够实现BJT的导通以及关断。但是，本发明人在进行本发明的研发过程中发现现有技术至少存在以下缺点：

当要求BJT输出的电流较小时采用现有技术能够较好的实现BJT的驱动。但是，在要求BJT输出大电流时会导致压控电流源上的压降过大，容易与驱动电路形成相互干扰，影响系统正常工作：

譬如，以BJT需要输出峰值为2A的大电流为例，Ic＝βIb，其中，Ic为BJT所需要输出的电流，Ib为BJT的基极电流，β为由于器件决定的比例因子，设在正常情况下β＝5，而实际上当BJT在大电流时，β值会变小。此时，当前输入至BJT的基极的驱动电流IB＝IC/β，其至少需要400mA。当要求的输出电流Ic为三角形、输出脉宽为500us时，需要输入至BJT的基极的驱动电量为Q＝I*t＝200mA*500us＝100uC，当使用从低压电源来得到时，设电源的电容为10uF，按照伏秒平衡理论在电容上的压降会达到10V。而一般的低压供电电源为15V，在压控电流源上有10V的压降会导致系统工作异常，驱动电路和低压电源之间会互相干扰。

发明内容

本发明实施例目的之一在于提供一种晶体管驱动电路以及驱动方法，采用该技术方案既能够实现对电流驱动型晶体管的驱动，又能为驱动电路的控制电路提供供电电压，两者互不干扰。

第一发面，本发明实施例提供的一种晶体管的驱动方法，包括：

控制第一开关电路的导通以及关断：

当所述第一开关电路导通时，第二开关电路导通，输入电压通过所述第二开关电路向所述晶体管的基极输入驱动电流，所述晶体管导通，所述输入电压通过所述晶体管以及所述第一开关电路对外输出电流；

当所述第一开关电路关断时，所述晶体管关断，在所述第一开关电路关断后的至少一时间段内，所述第二开关电路维持导通，所述输入电压通过所述第二开关电路以及供电电路向储能电路充电，以所述储能电路两端的电压作为控制电路的供电电压。

可选地，在所述输入电压通过所述第二开关电路以及供电电路向储能电路充电过程中，

供电电压监测电路还根据当前所述供电电压控制所述第二开关电路或者所述供电电路的关断，

当当前所述供电电压大于所需的供电电压时，关断所述第二开关电路或者所述供电电路。

第二方面，本发明实施例提供的一种晶体管驱动电路，包括：

第一开关电路，第一端与所述晶体管的发射极连接，第二端与控制地连接，在控制信号的控制下，所述第一开关电路导通或者关断；

第二开关电路，第一端与输入电压的输入端连接，第二端分别与所述晶体管的基极、以及供电电路的第一端部共同连接；

所述供电电路，第二端与所述储能电路的第一端连接；

所述储能电路，第二端接控制地，以所述储能电路两端的电压作为控制电路的供电电压；

当所述第一开关电路导通时，所述第二开关电路导通，所述输入电压通过所述第二开关电路向所述晶体管的基极输入驱动电流，所述晶体管导通，所述输入电压通过所述晶体管以及所述第一开关电路对外输出电流；

当所述第一开关电路关断时，所述晶体管关断，在所述第一开关电路关断后的至少一时间段内，所述第二开关电路维持导通，所述输入电压通过所述第二开关电路以及所述供电电路向所述储能电路充电，以所述储能电路两端的电压作为控制电路的供电电压。