[发明专利]晶体管驱动电路以及驱动方法

权利要求书

1.一种晶体管的驱动方法，其特征是，包括：

控制第一开关电路的导通以及关断：

当所述第一开关电路导通时，第二开关电路导通，输入电压通过所述第二开关电路向所述晶体管的基极输入驱动电流，所述晶体管导通，所述输入电压通过所述晶体管以及所述第一开关电路对外输出电流；

当所述第一开关电路关断时，所述晶体管关断，在所述第一开关电路关断后的至少一时间段内，所述第二开关电路维持导通，所述输入电压通过所述第二开关电路以及供电电路向储能电路充电，以所述储能电路两端的电压作为控制电路的供电电压。

2.根据权利要求1所述的晶体管的驱动方法，其特征是，

在所述输入电压通过所述第二开关电路以及供电电路向储能电路充电过程中，

供电电压监测电路还根据当前所述供电电压控制所述第二开关电路或者所述供电电路的关断，

当当前所述供电电压大于所需的供电电压时，关断所述第二开关电路或者所述供电电路。

3.一种晶体管驱动电路，其特征是，包括：

第一开关电路，第一端与所述晶体管的发射极连接，第二端与控制地连接，在控制信号的控制下，所述第一开关电路导通或者关断；

第二开关电路，第一端与输入电压的输入端连接，第二端分别与所述晶体管的基极、以及供电电路的第一端部共同连接；

所述供电电路，第二端与所述储能电路的第一端连接；

所述储能电路，第二端接控制地，以所述储能电路两端的电压作为控制电路的供电电压；

当所述第一开关电路导通时，所述第二开关电路导通，所述输入电压通过所述第二开关电路向所述晶体管的基极输入驱动电流，所述晶体管导通，所述输入电压通过所述晶体管以及所述第一开关电路对外输出电流；

当所述第一开关电路关断时，所述晶体管关断，在所述第一开关电路关断后的至少一时间段内，所述第二开关电路维持导通，所述输入电压通过所述第二开关电路以及所述供电电路向所述储能电路充电，以所述储能电路两端的电压作为控制电路的供电电压。

4.根据权利要求3所述的晶体管驱动电路，其特征是，

在所述供电电路内串联有单向传导电路，使流过所述供电电路的电流仅限于从所述供电电路的第一端流向第二端。

5.根据权利要求4所述的晶体管驱动电路，其特征是，

所述单向传导电路包括：二极管，

所述供电电路包括：所述二极管以及与所述二极管串联的电阻。

6.根据权利要求5所述的晶体管驱动电路，其特征是，

所述第二开关电路包括：耗尽型N沟道场效应晶体管，

所述耗尽型N沟道场效应晶体管的漏极与所述输入电压的输入端连接，源极与所述晶体管的基极连接，栅极与所述储能电路的第一端连接。

7.根据权利要求6所述的晶体管驱动电路，其特征是，还包括：

供电电压监测电路，输入端与所述储能电路的第一端连接，输出端与所述电阻连接，用于根据当前所述供电电压的电压值调节所述电阻的阻抗，

当当前所述供电电压大于所需的供电电压时，增大所述电阻的阻值，使所述耗尽型N沟道场效应晶体管的栅源电压减小至使所述耗尽型N沟道场效应晶体管关断。

8.根据权利要求3至7之任一所述的晶体管驱动电路，其特征是，

所述第一开关电路包括MOS晶体管，

所述MOS晶体管的漏极与所述晶体管的发射极连接，源极接所述控制地，在栅极输入所述控制信号。

9.根据权利要求3至7之任一所述的晶体管驱动电路，其特征是，所述晶体管为：双极结型晶体管。

10.根据权利要求3至7之任一所述的晶体管驱动电路，其特征是，还包括：

供电电压监测电路，输入端与所述储能电路的第一端连接，用于在所述第一开关电路关断时，根据当前所述供电电压控制所述第二开关电路、或者所述供电电路的关断，

当当前所述供电电压大于所需的供电电压时，关断所述第二开关电路或者所述供电电路。