[发明专利]一种具有凸面栅极结构的B4-Flash在审
| 申请号： | 201410375183.5 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104253131A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 凸面 栅极 结构 b4 flash | ||
1.一种具有凸面型栅极结构的B4-Flash，其特征在于，所述栅极结构设置于一有源区衬底之上，位于所述栅极结构底部两侧的有源区衬底中形成有源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极掺杂区和漏极掺杂区之间形成一沟道；
所述栅极结构自下而上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层；
其中，所述隧穿氧化层为顶面两侧向中部隆起的凸面型结构，且该隧穿氧化层的顶面为一平滑的凸状弧面；
所述电荷存储层为顶面两侧向中部隆起且底面自两侧向中部凹陷的拱桥型结构，所述电荷存储层的顶面和底面均为一平滑的弧面以完整覆盖于所述隧穿氧化层的上表面；
其中，所述电荷存储层为缓变的氮化硅层，且该氮化硅层自下而上由富氮氮化硅的深能级向富硅氮化硅的浅能级渐变。
2.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述阻挡介质层和导电层与所述电荷存储层的形状相同且厚度不同。
3.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述衬底为硅衬底。
4.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述隧穿氧化层为氧化硅。
5.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述导电层为多晶硅栅。
6.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述沟道为P型沟道。
7.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述衬底与所述隧穿氧化层底部的接触面为两侧向中部隆起的凸状弧面。
8.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述阻挡介质层为氧化硅层或氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)层。
9.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述电荷存储层厚度为6-10nm，所述导电层厚度为150-200nm。
10.如权利要求8所述的B4-Flash，其特征在于，当所述阻挡介质层为二氧化硅时，所述阻挡介质层厚度为3-15nm；
当所述阻挡介质层为二氧化硅-氮化硅-二氧化硅层时，则该阻挡介质层的底部二氧化硅的厚度为2nm-5nm，中间氮化硅的厚度为6nm-10nm，顶部二氧化硅的厚度为2nm-5nm。
11.如权利要求1所述的B4-Flash，其特征在于，所述隧穿氧化层的最大厚度不超过于5nm。
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