[发明专利]一种基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201410374186.7 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104347352B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 金镇浩 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/677;B08B3/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;杨生平 |
地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板处理装置 倾斜状态 输送单元 方向配置 水平状态 第二室 第一室 基板 基板处理 基板供给 输送基板 喷嘴 转换 优选 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
第一室,其具有通过水平设置的水平框架以水平状态搬送基板的第一输送单元,及向所述基板供给第一液体的第一喷嘴;
第二室,其沿第一方向配置于所述第一室的后方,具有能在水平状态和第一角度间进行转换,并搬送所述基板的第二输送单元;
第三室,其沿所述第一方向配置于所述第二室的后方,具有能够在所述第一角度和第二角度之间进行转换,并搬送所述基板的第三输送单元,
其中,所述第二输送单元包括:
沿所述第一方向排列的多个输送轴;以及
框架,其固定结合在所述输送轴两端,从上部观察时沿所述第一方向设置,用于支撑所述输送轴,
其中,所述框架包括:
第一倾斜框架,其一端以所述第一角度倾斜配置;及
第一倾斜变换框架,其配置于所述水平框架和所述第一倾斜框架之间,能够使输送框架的上端从所述水平状态倾斜变换为所述第一角度。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第一输送单元包括:
沿所述第一方向排列的多个输送轴;以及
框架,其固定结合在所述输送轴两端,从上部观察时沿所述第一方向设置,用于支撑所述输送轴的框架,
其中,所述框架为水平设置的水平框架。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第三输送单元包括:
沿所述第一方向排列的多个输送轴;以及
框架,其固定结合在所述输送轴两端,从上部观察时沿所述第一方向设置,用于支撑所述输送轴,
其中,所述框架包括:
第二倾斜框架,其一端以所述第二角度倾斜配置;及
第二倾斜变换框架,其配置于所述第一倾斜框架和所述第二倾斜框架之间,能够使所述输送框架的上端从所述第一角度倾斜变换为所述第二角度。
4.如权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第三室还包括向所述基板上供给第二液体的第二喷嘴。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其中所述基板处理装置还包括第四室,
所述第四室包括:
第四输送单元,其位于所述第二室和所述第三室之间,以所述第一角度搬送所述基板;及
第三喷嘴,其向所述基板上供给所述第二液体,
其中,所述第四输送单元包括:
沿所述第一方向排列的多个输送轴;及
框架,其固定结合在所述输送轴两端,从上部观察时沿所述第一方向设置,用于支撑所述输送轴,
其中,所述框架为以所述第一角度倾斜设置的第三倾斜框架。
6.如权利要求1或2所述的基板处理装置,其中所述第一角度为比所述第二角度小的角度。
7.如权利要求6所述的基板处理装置,其中所述第一角度为0.05°至5°之间的角度。
8.如权利要求6所述的基板处理装置,其中所述第二角度为5°至10°之间的角度。
9.如权利要求4所述的基板处理装置,其中所述第一液体为化学制品;所述第二液体为清洗液。
10.如权利要求9所述的基板处理装置,其中所述化学制品为显影液。
11.一种基板处理方法,包括:
第一处理步骤,向水平状态的基板供给第一液体,对基板进行处理;
第二处理步骤,将供有所述第一液体的所述基板变换成相对于水平面形成第一角度,并搬送所述基板;以及
第三处理步骤,在所述第二处理步骤之后向所述基板供给第二液体,将所述基板变换成相对于水平面形成第二角度,并搬送所述基板的同时,对所述基板进行处理,
其中,在所述第二处理步骤中包括:能够使所述基板变换为第一角度的第一倾斜变换框架将所述基板变换为以第一角度倾斜之后,以第一角度倾斜配置的第一倾斜框架搬送所述基板的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造