[发明专利]带半导体密封用基体材料的密封材料、半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201410366853.7 申请日: 2014-07-29
公开(公告)号: CN104347530A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 中村朋阳;盐原利夫;秋叶秀树;关口晋 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 密封 基体 材料 密封材料 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种带半导体密封用基体材料的密封材料,其用于将装载有半导体元件的半导体元件装载基板的元件装载面、或形成有半导体元件的半导体元件形成晶片的元件形成面进行一起密封,其中,

所述密封材料具有基体材料、形成于该基体材料一侧表面且包含未固化乃至半固化的热固性树脂的密封树脂层、以及形成于所述基体材料的另一侧表面的表面树脂层。

2.根据权利要求1所述的带半导体密封用基体材料的密封材料,其中,

所述表面树脂层由固化性环氧树脂、固化性有机硅树脂、固化性环氧-有机硅复合树脂、固化性环氧(甲基)丙烯酸酯、固化性(甲基)丙烯酸树脂、固化性聚酰亚胺树脂中的任一种形成。

3.根据权利要求1所述的带半导体密封用基体材料的密封材料,其中,所述表面树脂层为黑色。

4.根据权利要求1所述的带半导体密封用基体材料的密封材料,其中,

所述表面树脂层使用液态树脂并通过印刷方式、喷雾方式、涂敷方式、或者膜热压合方式形成,通过热或光进行固化。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的带半导体密封用基体材料的密封材料,其中,所述表面树脂层的厚度为0.5微米以上。

6.一种半导体装置,其通过权利要求1~5中任一项所述的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层将所述半导体元件装载基板的元件装载面、或所述半导体元件形成晶片的元件形成面一起密封后,进行切割而形成为单片的半导体装置。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,在所述带半导体密封用基体材料的密封材料的表面树脂层的表面进行了标记。

8.一种半导体装置的制造方法,该方法具有以下工序:

包覆工序,利用权利要求1~5中任一项所述的带半导体密封用基体材料的密封材料的密封树脂层对所述半导体元件装载基板的元件装载面、或所述半导体元件形成晶片的元件形成面进行包覆;

密封工序,通过对所述密封树脂层进行加热并使其固化,将所述元件装载面或所述元件形成面进行一起密封;

切割工序,通过对密封后的所述半导体元件装载基板或所述半导体元件形成晶片进行切割,而制造单片的半导体装置。

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