[发明专利]具有无源器件的芯片封装在审
| 申请号: | 201410361760.5 | 申请日: | 2014-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN104347561A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
| 发明(设计)人: | K.侯赛因;J.马勒;G.迈尔-贝格 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L25/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;马永利 |
| 地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 无源 器件 芯片 封装 | ||
技术领域
本发明涉及半导体芯片封装技术,并且更具体来说涉及具有无源器件的半导体芯片封装。
背景技术
提供更小、更薄、更轻、更廉价的具有减小功耗、更多不同功能和改进的可靠性的电子系统的必要性,已经在所有涉及的技术领域中推动一连串技术革新。这对于为小型化电子系统提供保护的环境并且允许高度可靠性的组装和封装的领域也是如此。
发明内容
根据芯片封装的一个实施例,芯片封装包括导电芯片载体,至少一个附接到导电芯片载体的半导体芯片,以及嵌入导电芯片载体和至少一个半导体芯片的绝缘层压结构。芯片封装进一步包括一个包括第一结构化的导电层的无源电子器件,该第一结构化的导电层延伸到层压结构的表面上方。
根据芯片封装的另一个实施例,该芯片封装包括导电芯片载体,至少一个附接到导电芯片载体的半导体芯片,延伸到导电芯片载体上方的绝缘层,以及包括第一结构化的导电层的无源电子器件。第一结构化的导电层延伸到绝缘层上方。该封装进一步包括绝缘层压结构,该绝缘层压结构嵌入导电芯片载体、至少一个半导体芯片和无源电子器件。
本领域的技术人员在阅读下面详细描述和查看附图时,将会认识到附加的特征和优点。
附图说明
附图被包含用于提供对实施例的进一步理解,并且结合在本说明书中和构成它的一部分。附图图示实施例并且与说明书一起用来解释实施例的原理。将易于理解其他实施例和实施例的许多预期的优点,因为通过参考下面的详细描述,它们得到更好的理解。图中的元件并不是必要地相对于彼此成比例。相似参考数字标注相应的类似部分。
除了上下文另外指示之外,在不同附图中的只是首个数字不同的参考数字可以指类似或相同的部分。加上后缀“_n”的参考数字是指所参考部分的具体元件。
图1A示意性地图示包括芯片载体、半导体芯片、绝缘层压结构和无源电子器件的芯片封装的一个实施例的横截面视图。
图1B示意性地图示包括芯片载体、半导体芯片、绝缘层压结构和无源电子器件的芯片封装的一个实施例的横截面视图。
图2A示意性地图示包括两个线圈的芯片封装的实施例的横截面视图。
图2B示意性地图示图2A的芯片封装的区段的顶视图。
图3示意性地图示包括两个线圈和一个磁芯的芯片封装的实施例的横截面视图。
图4示意性地图示包括被附接到芯片载体的分离部分的两个层集成线圈和一个磁芯的芯片封装的实施例的横截面视图。
图5示意性地图示包括电容器的芯片封装的实施例的横截面视图。
图6示意性地图示包括电容器和高ε电介质的芯片封装的实施例的横截面视图。
图7示意性地图示包括安装在芯片载体上的电容器的芯片封装的实施例的横截面视图。
图8示意性地图示包括安装在与芯片载体分离的载体的一部分上的电容器的芯片封装的实施例的横截面视图。
图9示意性地图示包括电阻器的芯片封装的实施例的横截面视图。
具体实施方式
现在参考附图来描述方面和实施例。在下面的描述中,出于解释的目的,阐明许多特定的细节以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。要理解的是,在不脱离本发明的范围情况下,可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑上的改变。应该进一步注意的是,附图并不是成比例或不是必要成比例。
在下面具体实施方式中,参考附图,附图形成其中的一部分,并且在附图中通过图示的方式示出其中可以实施本发明的特定实施例。然而,对于本领域的技术人员可以显而易见的是,在特定细节的更低程度情况下,可以实施实施例的一个或多个方面。
方向术语,诸如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”、“前”、“后”、“首”等是参考本文中所描述的(一个或多个)附图的定向使用的。因为能够将实施例在不同定向上定位,方向术语只是为了图示的目的使用的而绝非加以限制的。进一步地,应该理解,在不脱离本发明的范围的情况下,可以利用其他实施例并且可以做出结构或逻辑上的改变。所以,下面具体实施方式不是以限制的意义进行理解,并且本发明的范围由所附的权利要求书来限定。
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