[发明专利]具有无源器件的芯片封装在审

专利信息
申请号: 201410361760.5 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN104347561A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: K.侯赛因;J.马勒;G.迈尔-贝格 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;马永利
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 无源 器件 芯片 封装
【权利要求书】:

1.一种芯片封装,包括:

导电芯片载体;

至少一个半导体芯片,被附接到导电芯片载体;

绝缘层压结构,嵌入导电芯片载体和至少一个半导体芯片;以及

无源电子器件,包括第一结构化的导电层,其中第一结构化的导电层延伸到层压结构的表面上方。

2.权利要求1的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层电耦接到所述至少一个半导体芯片的接触焊盘。

3.权利要求1的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层形成第一线圈。

4.权利要求1的所述芯片封装,其中所述无源电子器件进一步包括第二结构化的导电层。

5.权利要求4的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层形成第一线圈,所述第二结构化的导电层形成第二线圈,并且所述第二线圈电耦接到所述第一线圈。

6.权利要求3的所述芯片封装,进一步包括:

磁芯,被嵌入到绝缘层压结构中。

7.权利要求6的所述芯片封装,其中所述磁芯被附接到所述导电芯片载体。

8.权利要求6的所述芯片封装,其中所述磁芯经过由所述导电芯片载体的主表面所限定的平面。

9.权利要求6的所述芯片封装,其中所述磁芯包括铁磁材料或高μ材料。

10.权利要求1的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层形成电容器的第一板。

11.权利要求10的所述芯片封装,进一步包括施加到所述电容器的第一板的高ε电介质材料。

12.权利要求10的所述芯片封装,其中由所述导电芯片载体形成电容器的第二板。

13.权利要求10的所述芯片封装,其中由载体的第一部分形成所述导电芯片载体,由所述载体的第二部分形成电容器的第二板,并且所述载体的第一部分和所述载体的第二部分是彼此分离的。

14.权利要求1的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层形成电阻器。

15.权利要求1的所述芯片封装,其中所述至少一个半导体芯片包括逻辑芯片和功率芯片。

16.一种芯片封装,包括:

导电芯片载体;

至少一个半导体芯片,被附接到导电芯片载体;

绝缘层,延伸到导电芯片载体上方;

无源电子器件,包括第一结构化的导电层,其中第一结构化的导电层延伸到绝缘层上方;以及

绝缘层压结构,嵌入所述导电芯片载体、所述至少一个半导体芯片和所述无源电子器件。

17.权利要求16的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层电耦接到所述至少一个半导体芯片的接触焊盘。

18.权利要求17的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层形成电容器的第一板。

19.权利要求18的所述芯片封装,其中由所述导电芯片载体形成电容器的第二板。

20.权利要求16的所述芯片封装,其中所述绝缘层包括高ε电介质材料。

21.权利要求16的所述芯片封装,其中所述第一结构化的导电层形成电阻器。

22.权利要求16的所述芯片封装,其中所述至少一个半导体芯片包括逻辑芯片和功率芯片。

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