[发明专利]使用两个引线框架组装的半导体装置有效
| 申请号: | 201410357286.9 | 申请日: | 2014-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN105336631B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 王欢;刘赫津;孙维萍 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 两个 引线 框架 组装 半导体 装置 | ||
使用其上安装和包封有片芯的第一引线框架和为装置提供弯曲引线的第二引线框架来装配封装的半导体装置。通过使用两个不同的引线框架,与相当尺寸的现有技术的引线框架阵列相比,第一引线框架的阵列可以被构造有用于更多装置的更多引线框架,因为第一引线框架阵列不需要为封装的装置提供引线。代之以,由第二引线框架阵列提供引线,可以在已将片芯安装和封装在第一引线框架阵列之后将第二引线框架阵列附接到第一引线框架阵列。
技术领域
本发明总的来说涉及半导体装置,以及更特别地,涉及使用两个引线框架组装的半导体装置。
背景技术
四方扁平封装(QFP)半导体装置是具有从半导体装置延伸的弯曲的“鸥翼”引线的半导体装置。该弯曲引线使得这种类型的装置易于焊接。制造带有弯曲引线的标准的QFP半导体装置的组装在附图1A-1F中示出,将在下面更详细说明。
附图1A示出了片芯104接合到具有引线110的引线框架102。片芯104也用接合线106电连接到引线框架102。附图1B示出了被包封在模制料108内的片芯104、接合线106、以及引线框架102的一部分,引线110延伸到模制料108的外面。
在被称为引线框架阵列的引线框架的一维或二维的组件上一起制造多个半导体装置。附图1C是具有被包封的片芯104的引线框架阵列120的简化俯视图。附图1C意图指示出在引线框架阵列120上的相邻的被包封片芯104之间相对的间隔。
在附图1D中,使用锯或激光切割穿过引线110来执行单颗化。单颗化是将组装在单个引线框架120上的各装置彼此分隔。单颗化之后,附图1E示出,引线110被压迫向下以形成附图1F的弯曲引线110。如附图1F所示,弯曲引线110从中间部分113向外延伸,中间部分113位于或接近于所形成的半导体装置100的装置厚度的中部。
概述
根据本公开的一个实施例,提供了一种制造封装的半导体装置的方法,所述方法包括:(a)形成包括安装在第一引线框架上的片芯的子组件;和(b)将第二引线框架附接到所述子组件,其中第二引线框架提供用于所述封装的半导体装置的引线。
根据本公开又一实施例,提供了一种封装的半导体装置,包括:第一引线框架;安装在所述第一引线框架上的片芯;和附接到所述第一引线框架的第二引线框架,其中所述第二引线框架提供用于所述封装的半导体装置的引线。
附图的简要说明
本发明的实施例通过示例进行描述,并且不受限于相应的附图,其中相似的参考标记代表相似的元件。附图中的元件出于简单和清晰的目的而示出,并且并不必然按比例绘制。例如,为了清楚,可以将层和区域的厚度放大。
附图1A-1B和1D-1F示出了常规QFP半导体装置组装的不同阶段的简化截面图,附图1C示出了在单颗化之前具有被包封的片芯的引线框架阵列的简化俯视图;
附图2A和2B示出了引线框架阵列的简化俯视图,附图2C示出了沿着附图2B中的2C-2C线的断面侧视图,以及附图2D-2G示出了根据本发明一个实施例的半导体装置组装中不同阶段的简化截面图;和
附图3示出了根据本发明一个实施例的具有被包封的片芯的引线框架阵列的简化俯视图。
具体实施方式
在此批露本发明的详细的说明性的实施例。但是,此处披露的具体结构和功能的细节仅仅是代表性的,目的在于描述本发明的示例性实施例。本发明的实施例可以以多种可替代的方式实施,并且不应被认为仅仅限于此处说明的实施例。此外,此处所使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的,而并非是对本发明的示例性实施例进行限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





