[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一晶片，包括：

一感测区或元件区，邻近于该晶片的一上表面；以及

一感测阵列，位于该感测区或元件区内，且包括多个感测单元；

多个第一开口，位于该晶片内，以对应地暴露出所述感测单元；以及

多个导电延伸部，设置于所述第一开口内且电性连接所述感测单元，并自所述第一开口延伸至该晶片的该上表面上方。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片为一指纹辨识晶片。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片还包括一信号接垫区，该信号接垫区邻近于该晶片的该上表面，且位于该感测区或元件区外侧，其中该晶片封装体还包括：

一第二开口，位于该晶片内，以暴露出该信号接垫区；

一浅凹槽结构，位于该信号接垫区外侧，并自该晶片的该上表面朝该晶片的一下表面延伸；以及

一重布线层，经由该第二开口与该信号接垫区电性连接，并延伸至该浅凹槽结构内。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层与所述导电延伸部由同一材料层所构成。

5.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一接线，该接线具有一第一端点及一第二端点，其中该第一端点于该浅凹槽结构内电性连接该重布线层，且该第二端点用于外部电性连接。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该接线的一最高部分低于该晶片的该上表面。

7.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该接线的该第一端点及该第二端点低于该晶片的该上表面，而该接线的一最高部分突出于该晶片的该上表面。

8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一封装层，该封装层覆盖该接线及该上表面，于该感测区或元件区上方形成一扁平化接触表面，其中该封装层于该感测区或元件区上的覆盖厚度决定于该接线的该最高部分与该浅凹槽结构的底部之间的距离与该浅凹槽结构的深度的差值。

9.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，该浅凹槽结构至少具有一第一凹口及一第二凹口，且该第二凹口位于该第一凹口下方，且其中该重布线层延伸至该第一凹口的一第一侧壁及一第一底部。

10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该第二凹口自该第一凹口的该第一底部朝该晶片的该下表面延伸。

11.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层还延伸至该第二凹口的一第二侧壁及一第二底部。

12.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片包括一基底及一绝缘层，其中该第一凹口的该第一侧壁邻接该绝缘层及部分的该基底，且该第二凹口的一第二侧壁邻接该基底。

13.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶片，该晶片包括：

一感测区或元件区，邻近于该晶片的一上表面；以及

一感测阵列，位于该感测区或元件区内，且包括多个感测单元；

在该晶片内形成多个第一开口，所述第一开口对应地暴露出所述感测单元；以及

在所述第一开口内形成多个导电延伸部，所述导电延伸部电性连接所述感测单元，并自所述第一开口延伸至该晶片的该上表面上方。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该晶片为一指纹辨识晶片。

15.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该晶片还包括一信号接垫区，该信号接垫区邻近于该晶片的该上表面，且位于该感测区或元件区外侧，其中形成所述第一开口的步骤还包括在该晶片内形成一第二开口，该第二开口暴露出该信号接垫区。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成所述导电延伸部的步骤包括：

在该晶片的该上表面上方形成一导电层，并延伸至所述第一开口内；以及

图案化该导电层，以形成所述导电延伸部。