[发明专利]存储器单元阵列及其形成方法和驱动方法

权利要求书

1.一种存储器单元阵列，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括：若干平行排列的第一有源区、与第一有源区垂直的若干平行排列的第二有源区、包围所述第一有源区和第二有源区的隔离结构；

位于相邻第二有源区之间的第一有源区上的若干存储器单元，所述若干存储器单元按矩阵排列，所述存储器单元包括：沿第一有源区长度方向排列的第一存储单元和第二存储单元，所述第二存储单元位于第一有源区上靠近第二有源区一侧、位于第一存储单元和第二存储单元之间的选择栅、位于所述第二存储单元一侧的第二有源区内的源极、位于所述第一存储单元另一侧的第一有源区内的漏极；

若干平行排列的位线，位于同一个第一有源区上的存储器单元的漏极通过金属互连结构与同一位线连接；

若干平行排列的第一控制线、第二控制线和字线，位于同一行的存储单元的第一存储单元通过金属互连结构与同一根第一控制线连接，位于同一行的存储器单元的第二存储单元通过金属互连结构与同一根第二控制线连接，位于同一行存储器单元的选择栅通过金属互连结构与同一根字线连接。

2.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其特征在于，所述第一存储单元包括：位于选择栅一侧的第一有源区表面的第一浮栅结构和位于所述第一浮栅结构上的第一控制栅结构；所述第二存储单元包括：位于选择栅另一侧的第一有源区表面的第二浮栅结构、和位于所述第二浮栅结构上的第二控制栅结构。

3.根据权利要求2所述的存储器单元阵列，其特征在于，还包括：位于第一控制栅结构上和第二控制栅结构上的第一侧墙；位于第一侧墙、第一控制栅结构、第一浮栅结构侧壁表面和所述第一侧墙、第二控制栅结构、第二浮栅结构侧壁表面的第二侧墙。

4.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其特征在于，所述位线位于第一有源区的上方且沿第一有源区的长度方向平行排列。

5.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其特征在于，同一个第一有源区上的相邻存储单元之间共享同一漏极或同一源极。

6.根据权利要求1所述的存储器单元阵列，其特征在于，所述第二有源区为源极，位于同一行的存储器单元共享同一源极。

7.一种根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的存储器单元阵列的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底内包括：若干平行排列的第一有源区、与第一有源区垂直的若干平行排列的第二有源区、包围所述第一有源区和第二有源区的隔离结构；

在相邻第二有源区之间的第一有源区上形成若干矩阵排列的存储器单元，所述存储器单元包括沿第一有源区长度方向排列的第一存储单元和第二存储单元，所述第二存储单元位于第一有源区上靠近第二有源区一侧、位于第一存储单元和第二存储单元之间的选择栅、位于所述第二存储单元一侧的第二有源区内的源极和所述第一存储单元另一侧的第一有源区内的漏极；

形成若干位线，位于同一个第一有源区上的存储器单元的漏极通过金属互连结构与同一根位线连接；

形成若干平行排列的第一控制线、第二控制线和字线，位于同一行的存储单元的第一存储单元通过金属互连结构与同一根第一控制线连接，位于同一行的存储器单元的第二存储单元通过金属互连结构与同一根第二控制线连接，位于同一行的存储器单元的选择栅通过金属互连结构与同一根字线连接。

8.一种存储器单元阵列的驱动方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1至6中任一项权利要求所述的存储器单元阵列；

确定待读取的存储单元所在的存储器单元；

将该存储器单元的源极接地；

对与该存储器单元的选择栅连接的字线施加第一电压，所述第一电压适于在选择栅下方的半导体衬底内形成反型层；

对与该存储器单元的漏极连接的位线施加第二电压，所述第二电压适于使半导体衬底内的载流子发生迁移；

若对该存储器单元的第一存储单元进行读取操作，则对与该存储器单元的第二存储单元连接的第二控制线施加第三电压，与该存储器单元的第一存储单元连接的第一控制线接地，所述第三电压适于使第二存储单元下方的半导体衬底内形成反型层；

若对该存储器单元的第二存储单元进行读取操作，则对与该存储器单元的第一存储单元连接的第一控制线施加第四电压，与该存储器单元的第二存储单元连接的第二控制线接地，所述第四电压适于使第一存储单元下方的半导体衬底内形成反型层。