[发明专利]形成包含硅化及非硅化电路组件的半导体结构的方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

提供半导体结构，包含含有第一半导体材料的至少一个第一场效晶体管以及含有第二半导体材料的至少一个第二场效晶体管，其中每个该至少一个第二场效晶体管比每个该至少一个第一场效晶体管具有更大的栅极长度；

形成至少一个非晶区在该第一半导体材料和该第二半导体材料的每个中，其中，该至少一个非晶区的形成包括使用非掺杂物质的离子照射该半导体结构；

形成蚀刻停止层于该至少一个第一场效晶体管及该至少一个第二场效晶体管上方；

在形成该蚀刻停止层之后，形成具有内在应力的介电层，该介电层包括在该至少一个第一场效晶体管上方的第一部分以及在各个该至少一个第二场效晶体管的至少一部分上方的第二部分，其中，该蚀刻停止层及该介电层由不同材料形成；

进行第一退火制程，其中，该至少一个非晶区被再结晶且内在应力通过应力记忆而至少在该再结晶至少一个非晶区中产生；

在进行该第一退火制程之后，去除该介电层的该第一部分及在该至少一个第一场效晶体管上方的该蚀刻停止层的一部分，形成金属层和进行第二退火制程，其中，该金属和该第一半导体材料发生化学反应以形成硅化物，该介电层的该第二部分实质上防止该第二半导体材料与该金属之间的化学反应在各个该至少一个第二场效晶体管的至少一部分中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个该至少一个第一场效晶体管包括栅极电极、源极区以及漏极区，至少该源极区和该漏极区包括该第一半导体材料，以及其中，在该第一退火制程中，第一应力区在该源极区中形成，以及第二应力区在该漏极区中形成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，该半导体结构包括逻辑电路和静态随机存取内存电路的至少其中一个，以及其中，该至少一个第一场效晶体管设置在该逻辑电路与该静态随机存取内存电路的至少其中一个中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在掺质的离子植入该至少一个第一场效晶体管的该源极区与该漏极区中之后，进行该介电层的形成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，至少在每个该至少一个第一场效晶体管的该源极区中和该漏极区中形成该硅化物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，每个该至少一个第一场效晶体管的该栅极电极包含该第一半导体材料，以及该硅化物形成在每个该至少一个第一场效晶体管的该栅极电极中。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该介电层包括应力氮化硅。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，该蚀刻停止层包含二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，该金属层包含镍。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，每个该第一和第二半导体材料包括结晶硅、多晶硅和非晶硅的至少其中一个。

11.根据权利要求1所述的方法，更包含：

在该第二退火制程之后，去除该金属层中没有与该第一半导体材料发生化学反应的部分，并且于之后进行第三退火制程。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，每个该至少一个第二场效晶体管的源极区与漏极区包含该第二半导体材料。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，每个该至少一个第二场效晶体管的栅极电极包括该第二半导体材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，该介电层的该第二部分完全覆盖每个该至少一个第二场效晶体管，且实质上防止该第二半导体材料与整个该至少一个第二场效晶体管中的该金属之间的化学反应。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，该介电层的该第二部分仅覆盖每个该至少一个第二场效晶体管的一部分，且实质上防止该第二半导体材料和被该介电层的该第二部分所覆盖的每个该至少一个第二场效晶体管的该部分中的该金属之间的化学反应。