[发明专利]溅射系统以及使用该系统制造显示器件的方法

说明书

溅射系统包括腔室、多个靶和衬底支架。靶被设置在腔室中。每个靶包括设置在其中的磁铁单元。衬底支架被配置在所述腔室中支承衬底。磁铁单元被配置成在靶之间生成磁场。磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年7月25日提交的第10-2013-0088268号韩国专利申请的权益和优先权，该申请通过引用并入本文以用于所有目的，如同其已完全在本文中阐述。

技术领域

示例性实施方式涉及配置成执行溅射工艺的溅射系统以及使用该溅射系统制造显示器件的方法。

背景技术

传统的有机发光显示器件通常包括一个或多个薄膜晶体管(TFT)，其可以被利用在例如数码相机、视频相机、摄像机、个人数字助理、便携式信息终端、笔记本电脑、智能电话、平板电脑、柔性显示装置、工作站、电视等的多种电子装置中，以及被利用在例如汽车、消费类电子产品、广告牌、标志等的任何其他合适的产品中。这些有机发光显示器件可以包括可以被形成在底部衬底的表面上的第一电极和第二电极和中间层，中间层可以包括有机发光层，有机发光层可以被设置在第一电极与第二电极之间。应注意，可以利用薄膜封装(TFE)层来保护形成在衬底上的中间层。TFE可以利用例如薄膜沉积工艺(如化学气相沉积(CVD)工艺、物理气相沉积(PVD)工艺等)的任何合适的工艺来形成。PVD工艺通常包括溅射工艺、热蒸发工艺、电子束蒸发工艺等。

在上述的工艺之中，可以利用溅射工艺来形成TFE层而无需考虑底部衬底的材料。传统的溅射系统通常包括磁铁，磁铁可以至少部分地绕着靶被设置以增加溅射效果。也就是说，磁铁可以绕着靶接合以形成垂直于一个或多个其它电场的至少一个磁场，进而将电子的运动约束在靶的周边环境中，以及延伸电子的移动路径。如上述记载，这可以增加溅射效果。然而，应注意，至少部分地因磁铁的结构而使非放电可能发生在不期望的区域(亦即不是正常的放电区域)中。这可以导致靶的侵蚀中的非均匀性并且减少电弧的发生从而减少等离子体弧的密度。

在背景技术部分公开的上述信息仅仅用于增强对本发明概念的背景的理解，因此其可能包含不形成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

示例性实施方式涉及配置成防止异常放电并且执行更加稳定的溅射工艺的溅射系统，以及使用该溅射系统制造显示器件的方法。

附加的方面将被记载于下面的详细说明书中，并且部分地将通过公开而明确、或者可以通过本发明概念的实践来获悉。

根据示例性实施方式，溅射系统包括腔室、多个靶和衬底支架。靶被设置在腔室中。每个靶包括设置在其中的磁铁单元。衬底支架被配置成在腔室中支承衬底。磁铁单元被配置成在靶之间生成磁场。磁铁单元中每个包括设置成两排的磁铁。

根据示例性实施方式，方法包括：至少部分地使设置在腔室中的溅射靶被电偏置，溅射靶中每个分别用于容纳彼此相隔的磁铁，磁铁被配置成在溅射靶之间生成磁场；以及至少部分地使颗粒与偏置的溅射靶碰撞，该碰撞使沉积颗粒被弹离偏置的溅射靶。磁场将沉积颗粒的第一部分约束在位于偏置的溅射靶之间的空间中，并且允许沉积颗粒的第二部分被沉积在设置于腔室中的衬底上。

前面的一般性描述和下面的详细描述均为示例性和解释性的，并且旨在提供对于所要求保护的主题的进一步解释。

附图说明

被包括以提供对本发明概念的进一步理解且被并入本说明书中以构成本说明书的一部分的附图示出了本发明概念的示例性实施方式，并且与说明书一同用于解释本发明概念的原则。

图1为根据示例性实施方式的溅射系统的示意图。

图2为根据示例性实施方式的图1的溅射系统的剖视图，其中图1的溅射系统包括以第一状态设置的第一溅射蒸发源和第二溅射蒸发源。