[发明专利]溅射系统以及使用该系统制造显示器件的方法

权利要求书

1.一种溅射系统，包括：

腔室；

第一靶，设置在所述腔室中，所述第一靶包括设置在其中的第一磁铁单元；

第二靶，设置在所述腔室中，所述第二靶包括设置在其中的第二磁铁单元；以及

衬底支架，配置成在所述腔室中支承衬底，

其中，所述第一磁铁单元包括第一磁铁和第二磁铁，所述第二磁铁单元包括第三磁铁和第四磁铁，所述第一磁铁设置在所述第二磁铁与所述第二靶之间，所述第三磁铁设置在所述第四磁铁与所述第一靶之间，所述第一磁铁、所述第二磁铁、所述第三磁铁以及所述第四磁铁在第一方向上纵向延伸，并且，在所述第一方向上，所述第一磁铁和所述第三磁铁的长度比所述第二磁铁和所述第四磁铁的长度短，

其中，所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元被配置成在所述第一靶和所述第二靶之间生成磁场，以及

其中，所述磁场包含绕着所述第一磁铁和所述第三磁铁的闭环环形路径。

2.如权利要求1所述的溅射系统，其中，

所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元绕着在所述第一靶与所述第二靶之间延伸的虚轴线对称地布置。

3.如权利要求2所述的溅射系统，其中，

所述第二磁铁、所述第一磁铁、所述第三磁铁和所述第四磁铁绕着所述虚轴线被对称地布置成北极、南极-南极、北极(NS-SN)的磁性布局。

4.如权利要求2所述的溅射系统，其中，

所述第二磁铁、所述第一磁铁、所述第三磁铁和所述第四磁铁绕着所述虚轴线被对称地布置成南极、北极-北极、南极(SN-NS)的磁性布局。

5.如权利要求2所述的溅射系统，其中，

所述第一靶和所述第二靶被配置成以基本相同的电势被偏置，以及

所述磁铁中的至少一些的磁矩指向基本相同的方向。

6.如权利要求2所述的溅射系统，其中，

所述第一磁铁单元和所述第二磁铁单元朝向彼此倾斜。

7.如权利要求2所述的溅射系统，其中，

所述第一靶和所述第二靶包括被设置成彼此平行的中轴线，所述中轴线在所述腔室的水平方向上延伸。

8.如权利要求2所述的溅射系统，其中，所述第一靶和所述第二靶中每个为圆筒形。

9.如权利要求2所述的溅射系统，其中，所述第一靶和所述第二靶中每个被可转动地支承在所述腔室中。

10.一种溅射方法，包括：

至少部分地使设置在腔室中的第一溅射靶和第二溅射靶被电偏置，所述第一溅射靶容纳彼此相隔的第一磁铁和第二磁铁，所述第二溅射靶容纳彼此相隔的第三磁铁和第四磁铁，其中，所述第一磁铁设置在所述第二磁铁与所述第二溅射靶之间，所述第三磁铁设置在所述第四磁铁与所述第一溅射靶之间，所述第一磁铁、所述第二磁铁、所述第三磁铁以及所述第四磁铁在第一方向上纵向延伸，在所述第一方向上，所述第一磁铁和所述第三磁铁的长度比所述第二磁铁和所述第四磁铁的长度短，并且所述第一磁铁、所述第二磁铁、所述第三磁铁和所述第四磁铁被配置成在所述第一溅射靶和所述第二溅射靶之间生成磁场，所述磁场包含绕着所述第一磁铁和所述第三磁铁的闭环环形路径；以及

至少部分地使颗粒与所述偏置的第一溅射靶和第二溅射靶碰撞，所述碰撞使沉积颗粒被弹离所述偏置的第一溅射靶和第二溅射靶，

其中，所述磁场将所述沉积颗粒的第一部分约束在位于所述偏置的第一溅射靶和第二溅射靶之间的空间中，并且允许所述沉积颗粒的第二部分被沉积在设置于所述腔室中的衬底上。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

至少部分地使所述偏置的第一溅射靶和第二溅射靶绕着对应的转动轴线转动。