[发明专利]提高入射光利用率的彩色及灰度图像传感器在审
| 申请号: | 201410338547.2 | 申请日: | 2014-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN104134675A | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
| 发明(设计)人: | 陈嘉胤 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
| 地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 提高 入射 利用率 彩色 灰度 图像传感器 | ||
技术领域
本发明属于图像传感器技术领域,具体地说,涉及一种提高入射光利用率的彩色及灰度图像传感器。
背景技术
图像传感器在民用和商业范畴内得到了广泛的应用。目前,图像传感器包括CMOS图像传感器(CMOS IMAGE SENSOR,以下简称CIS)和电荷耦合图像传感器(Charge-coupled Device,以下简称CCD)。
在专业的科研和工业领域,具有高信噪比的CCD成为首选;在高端摄影摄像领域,能提供高图像质量的CCD也颇受青睐。CCD在网络摄像头和手机拍照模块得到了广泛应用。
CCD与CIS相比来说,前者功耗较高、集成难度较大,而后者功耗低、易集成且分辨率较高。虽然说,在图像质量方面CCD可能会优于CIS,但是,随着CIS技术的不断提高,一部分CIS的图像质量已经接近于同规格的CCD。
现有技术中,CIS中的像素阵列采用有源像素侦测结构(Active Pixel Sensor,简称APS)。一个APS侦测结构APS包括一个感光二极管(Photo Diode,简称PD)。侦测结构表面通常有金属材质,该金属材质会反射掉一部分入射光,剩余的入射光被微透镜汇聚,通过颜色滤镜和光通道,被感光二极管PD接收。光线通过光通道时,侦测结构中设置有传输信号的金属布线,这些金属布线会不同程度得再次反射掉一部分入射光,从而导致进一步损失光线,被感光二极管接收到的有效入射光进一步减少,从而导致入射光的利用率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种提高入射光利用率的彩色及灰度图像传感器,用以克服侦测结构表面的金属材质反射掉一部分入射光,侦测结构的金属布线不同程度得再次反射掉一部分入射光,导致入射光的利用率较低的缺陷。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种提高入射光利用率的彩色图像传感器,其包括若干个像素单元,每个像素单元从下到上依次包括:衬底、金属层、颜色滤镜层、微透镜层,所述衬底和所述颜色滤镜层之间开设有光通道,在所述光通道的底部设置有感光单元,用于感测所述光通道中的入射光并输出对应的电信号,所述光通道中还设置有光线汇聚结构,所述光线汇聚结构的顶端设置在所述颜色滤镜层下表面,所述光线汇聚结构的底端设置在所述感光单元上表面,用于对所述光通道中传送的入射光进行汇聚处理;所述金属层用于向外围电路传输所述感光单元输出的与感测的入射光对应的电信号;所述颜色滤镜层用于进行颜色还原以使所述图像传感器输出彩色图像;所述微透镜层用于对进入所述光通道的入射光进行汇聚处理。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种提高入射光利用率的彩色图像传感器,其包括若干个像素单元,每个像素单元从下到上依次包括:金属层、衬底、颜色滤镜层、微透镜层,所述衬底中开设有光通道,所述光通道的底部设置有感光单元,用于感测所述光通道中的入射光并输出对应的电信号,所述光通道中还设置有光线汇聚结构,所述光线汇聚结构的顶端设置在所述颜色滤镜层下表面,所述光线汇聚结构的底端设置在所述感光单元上表面,用于对所述光通道中传送的入射光进行汇聚处理;所述金属层用于向外围电路传输所述感光单元输出的与感测的入射光对应的电信号;所述颜色滤镜层用于进行颜色还原以使所述图像传感器输出彩色图像;所述微透镜层用于对进入所述光通道的入射光进行汇聚处理。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种提高入射光利用率的灰度图像传感器,其包括若干个像素单元,每个像素单元从下到上依次包括:衬底、金属层、微透镜层,所述衬底和所述微透镜层之间设有光通道,所述光通道的底部设置有感光单元,用于感测所述光通道中的入射光并输出对应的电信号,所述光通道中还设置有光线汇聚结构,所述光线汇聚结构的顶端设置在所述微透镜层下表面,所述光线汇聚结构的底端设置在所述感光单元上表面,用于对所述光通道中传送的入射光进行汇聚处理;所述金属层用于向外围电路传输所述感光单元输出的与感测的入射光对应的电信号;所述微透镜层用于对进入所述光通道的入射光进行汇聚处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





