[发明专利]具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板有效
| 申请号： | 201410337839.4 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104637674B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 罗智星;赵范俊;崔重购;朴胤辉;吴光宰;秋昊成;申知桓 | 申请（专利权）人： | 塞姆西恩有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/232;H01G2/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 电容器 低温 共同 烧制 陶瓷 | ||
1.一种具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，多个生片层层压形成陶瓷元件；第一电极印刷在层压的多个陶瓷生片中；并且在所述基板中形成空腔，所述基板包括：
多层陶瓷电容器，设置为与所述空腔内部的所述陶瓷生片间隔开并且包括第二电极，所述第二电极电连接至所述第一电极，
其中，所述第一电极包括95-100wt％的Ag，以及
其中，所述第二电极包括65-90wt％的Ag和具有比Ag更高熔点的金属。
2.根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述所述第一电极进一步包括选自由Au、Cu、Pd、W及它们的合金组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述第一电极包括通过所述陶瓷生片的通孔电极和与所述第二电极电连接的连接电极。
4.根据权利要求3所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述第一电极进一步包括在所述通孔电极和所述连接电极之间的衬垫电极。
5.根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述第二电极包括65-90wt％的Ag；并且包括选自由Au、Cu、Pd、W及它们的合金组成的组中的至少一种金属。
6.根据权利要求5所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述第二电极包括70-90wt％的Ag。
7.根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述第一电极进一步包括0.5-5wt％的基于CaO-BaO-SiO2-B2O3的玻璃。
8.根据权利要求7所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述玻璃的玻璃化转变温度是600至850℃。
9.根据权利要求8所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述玻璃的组分配方是20mol％CaO-25mol％BaO-50mol％SiO2-5mol％B2O3或20mol％CaO-20mol％BaO-55mol％SiO2-5mol％B2O3。
10.根据权利要求1所述的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，所述具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板的烧制温度是800至950℃。
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