[发明专利]具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板

说明书

本发明涉及具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板。根据本发明的实施方式，具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板能够通过控制包括在基板中的各种金属的组成比率来防止在低温烧制之后电极的扩散、剥落或损失，从而导致陶瓷基板和电容器之间良好的附着。

相关申请的引用

本申请要求于2013年11月7日提交的标题为“具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板”的韩国专利申请号10-2013-0135056的权益，通过引用将其全部内容结合于本申请中。

技术领域

本发明涉及具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，并且更具体地涉及包括含有Ag或Ag合金的电极的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板。

背景技术

响应于针对具有高频率和小尺寸的电子装置的需求，通过在印刷电路板中嵌入而不是在表面上安装表面安装芯片式组件可以减少整个产品的体积并且增加集成度的技术备受关注。

当通过分层形成(例如，电容器)通过将安装在基板上的芯片式组件嵌入基板而将其替换时，可以减小整个产品的体积。此外，与芯片式电容器相比，分层式电容器具有更好的RF特性(较小的寄生电感)。因此，正在开展关于将芯片嵌入基板的大量研发。

相关技术是KR公开号2002-0042698。

发明内容

本发明的目的是提供包括含有Ag或Ag合金的电极的具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板。

根据本发明的一方面，提供具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板，其中，多个生片层层压形成陶瓷元件；第一电极印刷在层压的多个陶瓷生片中；并且在基板中形成空腔，基板包括：多层陶瓷电容器，设置成与空腔内部的陶瓷生片间隔开并且包括第二电极，第二电极电连接至第一电极，其中，第一电极包括95-100wt％的Ag，并且其中，第二电极包括65-90wt％的Ag和具有比Ag更高熔点的金属。

在本发明的实施方式中，第一电极可以进一步包括选自Au、Cu、Pd、W及它们的合金的至少一种。

在本发明的实施方式中，第一电极可以包括通过陶瓷生片的通孔电极，和与第二电极电连接的连接电极。

在本发明的实施方式中，第一电极可进一步包括在通孔电极和连接电极之间的衬垫电极。

在本发明的实施方式中，第二电极可以包括65-90wt％的Ag；并且包括选自Au、Cu、Pd、W及它们的合金的至少一种金属。

在本发明的实施方式中，可以增加70-90wt％的Ag。

在本发明的实施方式中，第一电极可进一步包括0.5-5wt％的基于CaO-BaO-SiO₂-B₂O₃的玻璃。

在本发明的实施方式中，玻璃的玻璃化转变温度可以是600至850℃。

在本发明的实施方式中，玻璃的组成配方可以是20CaO-25BaO-50SiO₂-5B₂O₃或20CaO-20BaO-55SiO₂-5B₂O₃。

在本发明的实施方式中，具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板的烧制温度可以是800至950℃。

根据本发明的实施方式，具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板能够通过控制包括在基板中的各种金属的组成比率来防止在低温烧制之后电极的扩散、剥落或损失，从而导致陶瓷基板和电容器之间良好的附着。

附图说明

图1是示出根据本发明的实施方式具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板的截面图。