[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201410337121.5 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104134699A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 韩帅;张琨鹏;高鹏飞;王凤国;白妮妮;康峰;刘宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，所述栅电极包括：位于所述源电极侧的第一区域，位于所述漏电极侧的第二区域，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的中间区域，其中，所述中间区域完全覆盖与所述中间区域对应设置的所述半导体层，所述第一区域或所述第二区域覆盖对应设置的所述半导体层的部分区域。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述中间区域在第一方向上的宽度大于或等于对应设置的所述半导体层在所述第一方向上的宽度，所述第一方向为与所述源电极和所述漏电极之间形成的导电沟道的长度方向相垂直的方向。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述中间区域为矩形，所述第一区域和所述第二区域均为三角形。
4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为低温多晶硅半导体层。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5所述的阵列基板。
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